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p-AlGaNGaN超晶格做p型层350 nm紫外AlGaN基LED.pdf
童3叶投2015年第28卷第3期
Electmnic
doi:10.16180/j.cnki.issnl007—7820.2015.03.036
p—AIGaN/GaN超晶格做p型层350
王丹丹1,丁 娟1,韩孟序1,孟锡俊2
摘要使用p—AlGaN/p—GaN
mA下发光亮度达到了22.66
能。在工作电流为350 mW,相应的工作电压为3.75V,LEDs的光功率满足了实际应
用需求。
关键词 AlGaN基紫外LED;AlGaN/GaN超晶格;j—y特性
中图分类号TN23文献标识码A 文章编号1007—7820(2015)03一136—03
mn
350 AlGaN—b嬲edUItm、,iolet
Li窖『ht—EIIlitting—DiodeUsingp·AlGaN/GaN
WANG
Dandanl,DINGJuan‘,HANMen昏【u1,MENGXijun2
State ofWide Semiconductor 710071,China;
(1. KeyLaboratoryBandgap Technology,XidianUniversity,Xi’an
2.zoomView Co.
Opt蹦ectronicLtd.,xi’an71007l,China)
Abstmct SPSLsasthe of of350nmA1GaNbased
using LED,the
By p—AlGaN/GaN p·layer peaI【wavelength
UVLEDis onthe substrate.r11leAlGaN/GaN reducesthe ioni—
grown sapphire supedatticepol撕zation Mgacceptor
thus LED an
deVices andelectrical devicesexhibit
zation, output
greatlyimproVing出e optical properties.The power
of that
of22.66mWatthecun.entof350 toalowfoⅢard 3.75V.ItmeaJlsthe叩一
mA,correspondingVoltageoIlly
tical ofsuchLEDsis tobeusedin
power highenough practicalapplications.
AlGaNbasedUV chaJacteristic
KeywoHls LED;AleaN/GaNsupedattices;,-y
紫外LED在照明、杀菌、医疗、印刷、生化检测、高 错,位错会形成非辐射复合中心和漏电通道,恶化器件
密度信
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