SHH应力下超薄栅氧PMOS器件退化研究.pdf

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2015-09-11 发布于湖北
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SHH应力下超薄栅氧PMOS器件退化研究胡仕刚，吴笑峰，席在芳湖南科技大学信息与电气工程学院，湖南湘潭，411201 摘要：对超薄栅氧PMOS器件衬底热空穴(SHH)应力下SILC(应力感应泄漏电流)特性和机理进行研究。研究结果表明：在SHH应力下，栅电流在开始阶段减小，这是正电荷在氧化层中积累的结果；随后栅电流慢慢地增加，最后，当在氧化层中积累的正电荷密度达到一个临界值时，栅上漏电流迅速跳变到较大数量级上，说明器件被击穿；当注入空穴通过Si-O网络时，随着注入空穴流的增加，化学键断裂的概率增加；当1个Si原子的2个 Si-O键同时断裂时，将会导致Si-O网络不可恢复;Si-O键断裂导致氧化层网络结构发生改变和损伤积累，最终导致氧化层破坏性被击穿。衬底热空穴；阈值电压；栅氧化层；应力感应泄漏电流；MOS器件 TN432 A 1672-7207(2011)09-2741-05 DegradationofPMOSFETwithultra-thingateoxideunder SHHstress HUShi-gangWUXiao-fengXIZai-fang 2011-02-02 2011-05-10 国家自然科学基金资助项目;湖南省教育厅资助项目(10C0709);湖南科技大学博士启动基金资助项目(E51080) 胡仕刚(1980-)，男，湖北咸宁人，博士，讲师，从事小尺寸MOS器件及其可靠性研究;电话E-mail:hsg99528@126.com 2742 2743 2744 betweenstressinducedleakagecurrentsandcatastrophic breakdowninultra-thinSiO2baseddielectrics[J].Microelectron Eng,1997,36(4):329-332. @@[8] DimariaDJ,CartierE.Mechanismforstress-inducedleakage currentsinthinsilicondioxidefilms[J].JournalofApplied Physics,1995,78(6):3883-3894. @@[9] RodriguezR,MirandaE,PauR,etal.Monitoringthe