采用高压RF-PECVD法制备高电导、高晶化率的p型微晶硅材料.pdfVIP

! 第# 卷 第$ 期! ! ! ! ! ! ! ! ! 人! 工! 晶! 体! 学! 报! ! ! ! ! ! ! ! %’( #! )( $ ! *++, 年* 月! ! ! ! ! ! ! ! ! -./0)12 .3 45)67869: :0546124 ! ! ! ! ! ! ! ! 3;=?=@ ，*++, ! 采用高压!#$%’( 法制备高电导、高晶化率的 ) 型微晶硅材料 侯国付，薛俊明，袁育杰，张德坤，孙! 建， 张建军，赵! 颖，耿新华 （南开大学光电子薄膜器件与技术研究所，天津+++, $；光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室，天津+++, $； 光电信息科学与技术教育部重点实验室（南开大学，天津大学），天津+++, $ ） 摘要：本文报道了采用高压射频等离子体增强化