存储器实验报告.docVIP

实验3 存储器实验 预习实验报告 疑问： 存储器是干嘛的？ 存储器的读写功能如何实现？ 存储器中的字和位分别表示的是什么？ 在定制存储器的时候，如何对它里面的存储单元赋初始值？ 如何实现连读？ 存储器的代码实现书上有，但如果用原理图来做，各个部分用什么芯片来实现？ 下载到实验箱时如何分配输入以减少开关数？ 在用地址计数器产生地址中的置数的方法产生地址是如何操作的？ 实验报告 波形图： 参数设置： Endtime:2.0us Gridsize:100.0ns 信号设置： clk_cdu： 时钟信号，设置周期为100ns占空比为50%。 sw|pc_bus: 总线（sw_bus）和地址计数器PC（pc_bus）输出数据控制信号，输入，低电平有效，二进制。 m|w|r: 芯片的片选（m）、读（w）、写（r）操作的控制信号，输入，高电平有效，二进制。 ldar: 地址寄存器AR的装载数据控制信号，输入，高电平有效，二进制。 pc_clr|ld|en: 地址计数器PC的清零（pc_clr）、装载（pc_ld）和计数使能信号（pc_en），输入，低电平有效，二进制。 k: k [7]~ k [0]，数据输入端信号，输入，十六进制。 d: d[7]~d[0]，数据输出中间信号，双向信号，十六进制。 d~result: d [7] result ~d[0] result，最终的数据输出信号，输出，八进制。 ar: ar[7]~ ar[0]，地址寄存器AR的输出结果，输出，十六进制。 pcout: pcout [7]~ pcout [0]，地址计数器PC的输出结果，输出，十六进制。 仿真波形 以在01H单元中写入EEH的数据并读出为例： 初始状态：K=00H，选择芯片(m=1)， PC保持当前的值(pc_clr=1)，其余信号无效； 置数法产生地址：K=01H→总线(sw_bus=0) →PC(pc_clr=1、pc_ld=0、pc_en=1)，可以看到此时总线上的数据为01H； PC保持：pcen=0，总线上及pc的值停在01H； PC→AR：PC(sw=1,pc_bus=0)→AR=01H（ldar=1），总线上显示01H； 读取:：?(sw|pc_bus=11，m=1、r=1)→AR=E1H，D2H，总线上显示E1H，D2H； EEH(总线：写入到地址为01H的单元中(m=1、w=1、r=0)，之后并将其内容读取出来(m=1、w=0、r=1)。 计数法产生地址：PC+1 (pc_bus=0、pc_clr=1、pc_ld=1、pc_en=1、w=0、r=0)、PC=02H→AR(ldar=1)、同时总线上显示PC的值。 读取地址为AR=02H所存的数值?(m=1、r=1)，总线上出现了短暂的EEH及C5H。 PC清零：pc_clr=0 连读00H，01H、02H、03H、04H、里面存放的数据(pc_bus=1、pc_clr=1、pc_ld=1、pc_en=1、m=1、r=1、ldar=1)，总线上显示E1,EE ,F3,C5,00。 结论： 本实验的设计能存储器的存储数据以及读和写的操作的功能，同时连续读出存入地址单元中存放的数据，电路设计正确。 二、实验日志 预习疑问解答： 存储器是干嘛的？ 存储器的主要功能是存放计算机正在执行或将要执行的程序以及数据等信息。它进行读操作时片选信号有效，读控制有效；进行写操作时片选信号有效，写控制有效，同时输入数据。 存储器的读写功能如何实现？ 如果用代码实现 process（clk，we，din） begin if(rising_edge(clk)) then if (we=’1’) then RAM(Addr)=din; --------写操作 End if; Addr_Reg=Addr; end if; end process; dout=RAM(Addr_Reg); --------读操作 实验中是用lpm定制的，原理是一样的。 存储器中的字和位分别表示的是什么？ 字表示地址的长度，如果字长为M，则地址寄存器的位数应该为log2M，位表示数