基于ICP刻蚀GaN选择比的研究.docVIP

基于ICP刻蚀GaN选择比的研究摘 要：在干法刻蚀GaN时使用AZ-4620作为掩膜层，为了在较快的GaN刻蚀速率下获得良好的GaN/AZ-4620刻蚀选择比，使用电感耦合等离子刻蚀机（ICP），运用Cl2和BCl3作为刻蚀气体，改变气体总流量、直流自偏压、ICP功率、气体组分等工艺条件，并讨论了这些因素对GaN/AZ-4620刻蚀选择比以及对GaN刻蚀速率的影响。实验结果获得了GaN在刻蚀速率为225nm/min时的GaN/AZ-4620选择比为0.92，可以应用于实际生产。　　关键词：slgz.cn 选择比；电感耦合等离子体；干法刻蚀；偏置功率　　　　　　Research on the Etching Selectivity of GaN　　　　GUO Xiong-wei, DONG Chao-jun　　(Information Engineering School, Wuyi University, Jiangmen Guangdong 529020, China)　　　　Abstract: A Cl2/BCl3 inductively-coupled plasma (ICP) was used to etch GaN, using AZ-4620 as the barrier layer, The etching selectivity of GaN/AZ-4620 was improved by changing the total flow rate, DC bias, ICP power, and the ratio of Cl2 was discussed. Experimental results indicate that the selectivity of GaN/AZ-4620 can reach to 0.92 while the etching rate of GaN is 225 nm/min. It fits to the practical production.　　Keywords: selectivity; inductively-coupled plasma(ICP); dry etch; bias power　　　　引 言　　　　GaN因其宽带隙（Eg=3.4eＶ）以及良好的稳定性而广泛应用于大功率微波器件、短波长发光器件和高温电子器件[1]。在制作以GaN为外延片材料的发光二极管（LED）时，将数个独立的LED串联起来用以提高总的发光亮度，即制作高电压LED做路灯照明使用，需要将GaN进行6.5μm左右深度的隔离刻蚀，由于事先要对GaN刻蚀到N-GaN层以引出电极层，刻蚀深度约1.5μm，故还需刻蚀5μm才能实现隔离刻蚀。而对于一般光阻厚度不到4μm，且与GaN选择比小于1，从而选择一款厚胶AZ-4620作为掩蔽物，其厚度可达8～10μm。GaN在常温下化学性质非常稳定，难以用湿法对其进行刻蚀，所以对GaN材料大多采用干法刻蚀[2-3]。采用AZ-4620作为干法刻蚀时的掩模层，因此需要较好的GaN/AZ-4620刻蚀选择比才能达到5μm左右深度的刻蚀，另外也要有较快的GaN刻蚀速率，否则刻蚀时间会很长，影响生产效率。　　目前有很多关于GaN刻蚀速率的文章，但关于GaN/AZ-4620刻蚀选择比（选择比定义为同样工艺条件下对GaN刻蚀速率与对AZ-4620刻蚀速率比值）目前少有专门报道。本文主要对这方面进行了实验和分析。　　　　1实验过程　　　　1.1制作掩膜　　通常一种做法是用SiO2做掩膜，其选择比可达到8:1。然而使用化学气相沉积SiO2设备昂贵，但用AZ-4620做掩膜工艺成本低，而且有利于LED芯片电极的稳定。在以2英寸蓝宝石衬底的GaN外延层上用涂布机涂上AZ-4620，然后将其曝光、显影出图形，完成掩膜的制作。　　　　1.2感应耦合等离子体（ICP）刻蚀　　本实验采用的ICP刻蚀设备是日系RIE系列，使用感应耦合方式（Inductively Coupled Plasma）的化合物半导体工艺用的多片刻蚀设备。该设备是在ICP刻蚀机上获得丰富经验的基础上研发的LED制造工艺专用氮化镓刻蚀机，采用大面积基座，大幅度提高产量的专刻氮化镓（GaN）的高密度等离子（ICP）刻蚀机。反应室腔体体积为35L，刻蚀时的压力为0.3～0.5Pa（随气体总流量变化），极限真空为2×10-5Pa，射频 ICP功率源和射频偏置功率源均为13.56Hz，最大功率分别为1,000W、600W。采用Cl2/BCl3作为刻蚀气体，在不同气体总流量（20～60mL/min）和偏置功率（20～100W）、气体组分（Cl2：10%～80%）、ICP功率P（100～