电力电子 第一章 电力电子器件3.ppt

上次课主要内容回顾 上次课主要内容回顾 上次课主要内容回顾 上次课主要内容回顾 上次课主要内容回顾 上次课主要内容回顾 上次课主要内容回顾 晶闸管的分类： 1.3.4 晶闸管的派生器件 光控晶闸管（Light Triggered Thyristor－LTT） 1.4 典型全控型器件 1.4 典型全控型器件 门极可关断晶闸管（GTO） 电力晶体管（GTR） 电力场效应晶体管（PMOSFET） 绝缘栅双极晶体管（IGBT） 1.4.1 门极可关断晶闸管（GTO） GTO的结构和工作原理 GTO的动态特性 GTO的主要参数 1.4.1 门极可关断晶闸管（GTO） 门极可关断晶闸管（Gate-Turn-Off Thyristor —GTO） 晶闸管的一种派生器件，在晶闸管问世后不久出现 可以通过在门极施加负的脉冲电流使其关断 GTO的电压、电流容量较大，与普通晶闸管接近，因而在兆瓦级以上的大功率场合仍有较多的应用 结构： 与普通晶闸管的相同点： PNPN四层半导体结构，外部引出阳极、阴极和门极 和普通晶闸管的不同：GTO是一种多元的功率集成器件，内部包含数十个甚至数百个共阳极的小GTO元，这些GTO元的阴极和门极则在器件内部并联在一起 工作原理： 与普通晶闸管一样： 1）可以用下图所示的双晶体管模型来分析 2）?1+?2=1是器件临界导通的条件。当?1+?21时，两个等效晶体管过饱和而使器件导通；当?1+?21时，不能维持饱和导通而关断 GTO能够通过门极关断的原因是其与普通晶闸管有如下区别： 1）设计?2较大，使晶体管V2控制灵敏，易于GTO关断 2）导通时?1+?2更接近1（?1.05，普通晶闸管?1+?2?1.15）导通时饱和不深，接近临界饱和，有利门极控制关断，但导通时管压降增大 3）多元集成结构使GTO元阴极面积很小，门、阴极间距大为缩短，使得P2基区横向电阻很小，能从门极抽出较大电流 导通过程:与普通晶闸管一样，只是导通时饱和程度较浅 关断过程： 强烈正反馈—门极加负脉冲即从门极抽出电流，则Ib2减小，使IK和Ic2减小，Ic2的减小又使IA和Ic1减小，又进一步减小V2的基极电流 当IA和IK的减小使?1+?21时，器件退出饱和而关断 多元集成结构还使GTO比普通晶闸管开通过程快，承受di/dt能力强 动态特性 开通过程：与普通晶闸管类似，需经过延迟时间td和上升时间tr GTO的许多参数和普通晶闸管相应的参数意义相同，以下只介绍意义不同的参数 1）开通时间ton 延迟时间与上升时间之和。延迟时间一般约1-2?s，上升时间则随通态阳极电流值的增大而增大 GTO的许多参数和普通晶闸管相应的参数意义相同，以下只介绍意义不同的参数 2）关断时间toff 一般指储存时间和下降时间之和，不包括尾部时间。GTO的储存时间随阳极电流的增大而增大，下降时间一般小于2?s 3）最大可关断阳极电流IATO : GTO的额定电流 4）电流关断增益?off 最大可关断阳极电流与门极负脉冲电流最大值IGM之比称为电流关断增益 （1-8） 1.4.2 电力晶体管（Giant Transitor） 1.4.2 电力晶体管（Giant Transistor） GTR的结构和工作原理 GTR的基本特性 GTR的主要参数 GTR的二次击穿现象和安全工作区 1.4.2 电力晶体管（Giant Transistor） 术语用法： 电力晶体管（Giant Transistor——GTR，直译为巨型晶体管） 耐高电压、大电流的双极结型晶体管（Bipolar Junction Transistor——BJT），英文有时候也称为Power BJT 在电力电子技术的范围内，GTR与BJT这两个名称等效 1.4.2 电力晶体管（Giant Transistor） ??应用 20世纪80年代以来，在中、小功率范围内取代晶闸管，但目前又大多被IGBT和电力MOSFET取代 与普通的双极结型晶体管基本原理一样，但器件制造时的侧重点有所不同 主要特性是耐压高、电流大、开关特性好 目前常用GTR器件：单管、达林顿管、模块。 1.4.2 电力晶体管（Giant Transistor） 1.4.2 电力晶体管（Giant Transistor）——GTR结构和工作原理 GTR的结构示意图（单管） 1.4.2 电力晶体管（Giant Transistor）——GTR结构和工作原理 一般采用共发射极接法，集电极电流ic与基极电流ib之比为 1.4.2 电力晶体管（Giant Transistor）——GTR的基本特性 (1)? 静态特性 分为输入特性和输出特性。 输入特性表示在Uce一定时，基