第一章 载流子的行为(问答).pptVIP

砷化镓导带有两个能量极小位置，称作双能谷结构，如图2-54。注意横坐标是波矢(也就是在动量空间画的能带图)，而不是本章其他各节常用的空间位置坐标。由图可见，在k=0和[100]方向各有一个能谷，分别为能谷1和能谷2，前者曲率比后者大。根据电子有效质量定义 知能谷2电子有效质量比能谷1大，即， 实验测得， (mo为电子静止质量)。m*大，就表示电子“惯性”大，不易被电场加速，迁移率也就小，所以μ1μ 2 图2－54 在无外场时，电子几乎全部处于能量较低的能谷1中。当外电压使砷化镓内部电场超过3×105V／m时，能谷1中的电子可以从电场中获得超过0.38eV的能量。当它们与晶格原子或杂质离子碰撞时，动量大小和方向发生改变，这样就有可能进入能谷2中，同时吸引或发射一个声子。电子发生上述转移后，迁移率大大下降，漂移速度减小。 对N型砷化镓，设n1，n2分别为处于能谷1和能谷2中的电子浓度，总电子浓度n=n1+n2，则平均迁移率可表示为， 平均漂移速度就为 当电场?较小时，n≈n1， 当电场?很大时， 当?大小介于以上二者之间时，电子正处于由能谷1向能谷2转移的过程中， n1不断减小，n2不断增大，因为μ1 μ2 ，所以μ 随?增大而减小，即υd不断减小。以上υd随?变化的定性分析可用图2-55表示。 在? 1 ? ? 2区域内，迁移率由μ1变化到μ2 ，当ξ大于阈值电场? T时，有 这表示半导体具有负微分电导（即负阻），此性质使砷化镓这类半导体具有重要作用。 图2－55 半导体处于负微分电导区，是产生耿氏振荡的必要条件。由于样品局部不均匀或热扰动，将在某处（一般总是阴极附近）引起微量空间电荷，若工作于正微分电导区，这一空间电荷将很快消失(正象导体内部不存在净电荷一样)，而当工作于负微分电导区时，空间电荷将迅速增多，这是因为电荷区内电场比周围高，电子漂移速度比周围小，于是在它面向阳极的一侧便缺少电子，而面向阴极的一侧便有电荷的积累。这种由耗尽层和积累层构成的电荷偶极 区，称为“畴”， 可用图2-56表示。 图2－56 畴形成以后，其内部电场更强，引起电子进一步积累和耗尽。在畴的这个生长过程中，加在样品两端的电压恒定，使畴外电场减小，当它小到? T以下时，畴内电场也能增大到?2以上，这样两者都将越出负微分电导区。当畴内外电场分别为? b、 ? a时(图2-57)，它们的υd相等，畴就停止生长，形成一个稳态畴。 图2－57 在畴的形成直至稳态以后的整个过程中，畴不断地由阴极向阳极漂移，如图2-58。它到达阳极后，畴消失，电流猛增。随后，样品又工作千负微电导区，又开始新畴的形成和转移，使电流迅速下降。样品周期性地重复以上过程，就构成了振荡电流(图2-59)，这就是耿氏振荡。由上述分析可知，振荡频率即是畴形成的频率，ν＝υ0 / ι 式中υ0为稳态畴的漂移速度， ι为样品长度。 在电路中，负阻或负阻微分电导等价于正反馈，任何一点涨落都将在电路中引起振荡。 利用耿氏效应工作的半导体器件叫做转移电子器件，俗称耿氏二极管，是重要的有源微波器件，用作微波振荡和放大器，也可以做成各种逻辑功能器件，具有高速率、易集成、高输入阻抗、高灵敏等优点。 图2-58 图2-59 第7节 布尔斯坦一莫斯效应 图2－60 对于掺杂半导体，当掺杂浓度足够高时，如图2-60所示，对N型半导体，费米能级移入导带，导带底以上大片能级被电子占满；对于P型半导体，在高浓度掺杂下，费米能级进入价带，价带顶以下很大一片能级空着。由于泡利原理的限制，如图所示，当电子要从费米能级下方(对P型)或向费米能级上方(对N型)发生光跃迁时，显然对应的频率比禁带能隙相应的频率要高，波长要短，即光吸收限要向短波方向发生位移，这称为布尔斯坦莫斯(Burstein-Moss)效应。 有效质量越小的半导体，这种效应越显著。对N型InSb禁带能隙EN只有0.17eV(对应吸收限为λ＝7.3μm)，当载流子浓度为109/cm，表观能隙竟达0.55eV，相当吸收限移到波长λ ＝2.2μm 人们也可以造成一种动态布尔斯坦一莫斯效应。在足够强的光的作用下，让半导体价带中的电子泵浦到导带．即创生高浓度的电子和空穴，如图2-61所示。这产生了一种动态布尔斯坦一莫斯效应，它将阻塞材料对光的进一步吸收。这种机制所造成的非线性引起人们的兴趣，可望用来制做非线性光学器件。 图2－61 第8节 激子效应 在非金属晶体中，光激发产生负电子和正空穴，由于它们之间的相互作用而形成电子一空穴束缚系统叫做激子。激子可以参与光吸收、发光、能量转移和光化学等过程，这些效应称为激子效应。试举一例：对理想的完整晶体，当光频小于某值υ0时，晶体是“透明”的，但晶体处于低温时