06模拟电子技术第六章2011.ppt

6.1直流偏置电路 6.2 共射放大电路 6.4 共基放大电路 6.5 三种组态的比较 6.6 有源负载放大器 五、D类放大器 六、变压器耦合的甲类放大器 作 业 输入输出波形图 ui uo uo uo ′ 交越失真 在-0.6V~+0.6V之间，两个管子不导通， 输出电压为零——死区电压； 在-0.6V或+0.6V时，两个管子交替工 作，相当于射随器，电压输出幅度为 （Ec-Vces）~（-Ec+Vces）； 输出波形在死区电压存在交越失真。 死区电压 组合特性分析——图解法 负载上的最大不失真电压为Uom=VCC- UCES iC1 uCE iC2 Q VCC UCES UCES Uom 最大不失真输出功率Pomax （1）.输出功率Po（平均）： 3、分析计算 （忽略交越失真） 一个管子的管耗 （2）.管耗PT 两管管耗 （3）.电源供给的功率PE 当 4.效率? 最高效率?max 4、三极管的最大管耗 问：Uom=？ PT1最大, PT1max=？ 用PT1对Uom求导，并令导数=0，得出： PT1max发生在 处。 将Uom=0.64VCC代入PT1表达式： 总管耗为0.4Pom， 此时效率为50% 选功率管的原则： 1. PCM? PT1max =0.2PoMax 2． ? t uo 交越失真 ui ? t 存在交越失真 乙类互补对称功放的缺点 静态时: T1、T2两管发射结电压分别为二极管D1、 D2的正向导通压降，致使两管均处于微弱导通状态——甲乙类工作状态 动态时：设 ui 加入正弦信号。正半周 T2 截止，T1 基极电位进一步提高，进入良好的导通状态；负半周T1截止，T2 基极电位进一步降低，进入良好的导通状态。 电路中增加 R1、D1、D2、R2支路 （1）.基本原理 1. 甲乙类双电源互补对称电路 四、 甲乙类互补对称功率放大电路 uB1 t UT t iB IBQ 波形关系： uBE iB 特点：存在较小的静态电流 ICQ 、IBQ 。每管导通时间大于半个周期，基本不失真。 ICQ iC ib iC Q uce VCC /Re VCC IBQ 甲乙类功率输出极偏置电压除了用二极管提供外， 还可用电源、电阻、晶体管、BE倍乘器提供。 （2）.带前置放大级的功率放大器 （甲乙类互补对称电路的计算同乙类） （3）. 电路中增加复合管 增加复合管的目的：扩大电流的驱动能力。 ?? ? ?1 ?2 晶体管的类型由复合管中的第一支管子决定。 复合NPN型 复合PNP型 （4）. 带复合管的OCL互补输出功放电路： T2、R1、R2：UBE扩大电路 T3、T4、T5、T6： 复合管构成互补对称功放 输出级中的T4、T6均为NPN型晶体管，两者特性容易对称。 合理选择R1、R2可得到 UBE2 任意倍的电压。 （2）求电压放大倍数 先计算三极管的输入电阻 电压增益 如果求从VS算起的电压增益，需计算第一级的输入电阻 Ri1 =rbe1 // Rb1 // Rb2 =3.1//51//20=2.55 k? （3）求输入电阻 Ri =Ri1 =rbe1 // Rb1 // Rb2 =2.55 k? （4）求输出电阻 RO =RC2 =4.3 k? 举例2：电路如下图示，求Q、AV、Ri、Ro 设：β1=β2=50， rbe1=2.9k? rbe2=1.7k? 求：A、ri、ro 1.静态：Q点同单级 画微变等效电路： 2.动态： 关键考虑级间影响 方法： 微变等效电路 6.8.1共源放大电路 6.8 场效应管放大器 1 自偏压电路 注意：该电路只能用于耗尽型MOS管和JFET。 (1)静态分析（Q：VGS、ID、VDS） 据图可写出下列方程： VGS= VG－VS = －ID R ID= IDSS[1－(VGS /VP)]2 VDS= VDD－ID (Rd+R) 已知VP、IDSS (2)交流分析 ①电压放大倍数 ②输入电阻 ③输出电阻 2 分压式偏压电路 VDS =VDD-ID(Rd+R) 可解出Q点的VGS 、 ID 、 VDS 计算Q点： 已知VP ，由 注：该电路产生的栅源电压可正可负，所以适用于所有的场效应管电路。 VDS1 =VDD-ID(Rd+R)=15.5V VDS2 =VDD-ID(Rd+R)0V 舍去ID2 所以VGS =10VVP VDS VGS – VP =12V 即恒流区 已知 假设恒流区 交流分析： （1）画出共源放大电