07图形刻蚀技术.ppt

问题： 常见的刻蚀对象：SiO2、Si3N4、Poly-Si、磷硅玻璃、铝或铝合金、衬底材料等 即：金属刻蚀、介质刻蚀、硅刻蚀 对刻蚀的基本要求： 图形的高保真：横向腐蚀和各向异性腐蚀 刻蚀剖面： 选择比：光刻胶和不同材料的腐蚀速度 关键尺寸（CD）控制 均匀性：小线条和大硅片 清洁：残渣沾污 损伤： 7.1.湿法腐蚀：即，化学腐蚀 8.1.1 腐蚀液： SiO2： HF:NH4F:H2O=3毫升：6克：10毫升 （36°C） Al： H2PO4、70~80 °C、乙醇稀释 Si3N4：H2PO4、 H2PO4：HNO3=3：1 （ SiO2膜） HF （Cr膜） 其它 定向腐蚀 7.1.2 刻蚀中的质量问题： 图形畸变：曝光时间、显影时间、刻蚀速度 浮胶：粘附、前烘时间、曝光时间、 显影时间、刻蚀速度、腐蚀液 毛刺和钻蚀：清洁、显影时间、腐蚀液 针孔：膜厚不足、曝光不足、清洁、掩膜版 小岛：曝光、清洁、湿法显影、掩膜版 湿法腐蚀工艺的特点：速度快，成本底，精度不高。 7.2. 干法腐蚀：即，等离子刻蚀 7.2.1. 原理和特点： 是一种物理-化学刻蚀； 是一种选择性很强的刻蚀 在低压中进行，污染小 与去胶工艺同时进行 表面损伤 置入等离子场中的分子因等离子能量的激励生成了性的 游离基分子、原子，以这些活性游离基分子、原子引起 的化学反应，形成挥发性产物，而使被蚀物剥离去掉。 活性游离基分子、原子不受电场影响，因而各向同性。 F基刻蚀原理：（SiO2为例） CF4 2F+CF2 （游离基） SiO2+4F SiF4+2O SiO2+2CF2 SiF4+2CO Cl基… 氧的作用：加快 氢的作用：减慢 高分子生成：刻蚀速度、选择性 反应气体：CF4、CHF3、CF6 反应离子刻蚀（RIE） Reactive Ion Etch与前面的等离子刻蚀相比，等离子体的激励增大，反应气体发生了电子从原子脱离出去的正离子化，成为离子和游离基分子、原子混在一起的状态。先是游离基分子、原子被吸附在待蚀物上产生反应产物，离子在电场中加速并向基片垂直轰击，加快反应产物的脱离，且在待蚀物上形成损伤—吸附活性点，加快底部刻蚀速率，实现各向异性刻蚀。 工艺控制 RF功率测量与控制 真空测量与控制 等离子场测量与控制 温度测量与控制 刻蚀终点—诊断和控制技术（简述） 终点监视仪—等离子体发射光谱（0ES） 残余气体分析（RGA）/质谱分析 射频和偏置电压也可以终点检测信号 检测 Measure etch rate at 5 to 9 locations on each wafer, then calculate etch uniformity for each wafer and compare wafer-to-wafer. Randomly select 3 to 5 wafers in a lot 使用时，直接删除本页！ 精品课件，你值得拥有！ 精品课件，你值得拥有！ 使用时，直接删除本页！ 精品课件，你值得拥有！ 精品课件，你值得拥有！ 使用时，直接删除本页！ 精品课件，你值得拥有！ 精品课件，你值得拥有！ 剥离技术：（11.9) * Photoresist mask Film to be etched (a) Photoresist-patterned substrate (b) Substrate after etch Photoresist mask Protected film Etch Bias、 Undercut 、 Slope and Overetch (a) Bias Resist Film Substrate Wb Wa Undercut Substrate Resist Film Overetch S = Ef Er Ef Nitride Oxide Er 选择比：S Ef=被刻蚀材料的刻蚀速率 Er=掩蔽层材料的刻蚀速率 RF 装置： Roots pump Process gases Exhaust Gas- flow controller Pressure controller Gas panel RF generator Matching network Microcontroller Operator Interface Gas dispe