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半导体器件原理 南京大学 半导体器件原理 南京大学 ?对给定剂量的DI，阈值电压的大小依赖于注入的位置xc。 ?浅表面注入，xc=0，耗尽层宽度没有变化，阈值电压的变化为QDI/COX。类似于硅氧化层的一层界面电荷。衬底灵敏度与亚阈值斜率不变。 ?当xc增加时，最大耗尽层宽度和阈值电压的偏移均减小。但通过选择低的背景掺杂浓度使Wdm恢复。 ?以上讨论对NsNa的情形同样成立。（即倒退的沟道掺杂） 半导体器件原理 南京大学 3) 沟道剖面设计 半导体器件原理 南京大学 （1）CMOS设计的考虑 工艺限制与系统兼容的要求，需要对电路参数进行优化 对一给定的技术水平，并没有唯一的设计方法，而是给出器件参数选择的总体思路。 为控制短沟道效应，最大耗尽层宽度Wdm： Lmin/mWdm?2 亚阈值斜率2.3mkT/q及衬底灵敏度dVt/dVbs=m-1随m增大而变差，并导致低的饱和电流。m1.5 氧化层电场Emax决定最小的氧化层厚度tox 半导体器件原理 南京大学 * * 半导体器件原理 南京大学 Chapter 4. CMOS 器件设计 4.1 MOSFET的等比例缩小 ?光刻技术：短沟道导致密度速度和功率的改进 ?离子注入：浅或陡峭的掺杂界面或低掺杂浓度的实现 半导体器件原理 南京大学 （1）恒定场的等比例缩小 当减小横向尺寸时，等比例缩小器件的径向尺寸，并等比例减小外加电压，增加衬底的掺杂浓度，以使短沟道效应得到控制。 恒场等比例缩小的基本原则： 将器件工作电压和器件尺寸包括(横向和纵向)缩小相同的比例，以保证电场保持不变。 半导体器件原理 南京大学 半导体器件原理 南京大学 ?泊松方程的不变：等比例增加掺杂浓度 ?最大耗尽层宽度：等比例缩小 ?所有电容：等比例缩小（正比于面积而反比于厚度） ?反型层电荷：保持不变 ?速度饱和效应：保持不变（电场不变） 恒场等比例缩小规则： 半导体器件原理 南京大学 ?漂移电流： 等比例缩小（单位MOSFET宽度漂移电流不变） ?单位MOSFET宽度扩散电流：等比例增加 等比例缩小对电路参数的影响 电路延迟等比例缩小（正比于RC 或CV/I，假设沟道电阻保持不变，而寄生电阻可以忽略或保持不变） 半导体器件原理 南京大学 恒场等比例缩小的最重要结论： 当器件尺寸和工作电压等比例缩小时，电路速度等比例增加，而单个器件的功耗减小k2倍。 阈值电压：一般认为阈值电压应等比例缩小（因工作电压降低） 但对硅工艺，材料的相关参数并不变化，因此Vt一般并不缩小。 可通过衬底正偏或沟道区非均匀掺杂来调制阈值电压。 半导体器件原理 南京大学 (2)常用的等比例缩小： ?由于亚阈值特性的非比例变化以及人们不愿偏离上一代的标准电压的考虑，工作电压一般并不等比例的缩小。 ?更通用的是让电场在横向与纵向保持相同倍数的增加以保持原有的电场形状，因此2D效应，如短沟道效应在等比例缩小时不致加剧。 ?高场会导致对器件稳定性的忧虑。 半导体器件原理 南京大学 通用的等比例缩小规则： 半导体器件原理 南京大学 半导体器件原理 南京大学 ?泊松方程的不变：增加掺杂浓度，避免短沟道效应增强 ?速度饱和效应： 对长沟道器件，载流子速度远离饱和，增加因子? 漂移电流正比于Wqiv，增加因子： ?2/k 对短沟道器件，载流子速度已饱和，不再变化 漂移电流正比于Wqiv，增加因子： ?/k 半导体器件原理 南京大学 ?电路延迟等比例缩小，比例因子：k 和?k（依赖于饱和度） ?单个器件的功耗增加?2到?3 ?泊松方程：对耗尽层而不变，而对反型层可移动电荷则不成立。它是表面势的指数函数，而表面势并不随物理尺寸或电压线性变化。 ?同时并不是所有的边界条件相应地等比例的变化。（源结的能带弯曲由并不随电压等比例变化的内建势给出。） 半导体器件原理 南京大学 特例：恒定电压的等比例缩小 电场的形状仅当?=k才保持恒定电压的等比例缩小。 ?电场增加k，掺杂浓度增加k2， 不变 半导体器件原理 南京大学 ?反型层电荷密度与电子浓度有关（?k2）： 反型层厚度（Qi/qn(0)）与LD= 均减小k倍。 ?功率密度增加k3（k2），导致热电子和氧化层的可靠性问题。 ?实际的CMOS的技术演变是恒电压与恒电场的某种混合。 半导体器件原理 南京大学 (3) 非等比例缩小效应： 主要的非等比例因数：热电压kT/q和硅的带隙并不改变。 ?前者导致亚阈值的非等比例