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本章概要： 设计与工艺接口问题 工艺抽象 电学设计规则 几何设计规则 工艺检查与监控 3.1 设计与工艺接口问题 基本问题—工艺线选择 设计的困惑 设计与工艺接口 3.1.1 基本问题—工艺线选择 一条成熟的工艺线，各项工艺参数都是一定的，不允许轻易变更，而这些参数往往就成为我们设计的制约因素。 因此，设计之初必须考虑：这条工艺线对我的设计是否合适。 3.1.2 设计的困惑 电参数： 应用萨方程 衬偏效应(γ系数) 上升、下降时间（负载电容） 迁移率比值 …… 版图参数： 尺寸 间距 …… 太多的不确定，工艺线能否提供这些参数？ 3.1.3 设计与工艺接口 工艺线提供电学设计和版图设计的规则，形成设计规则文件。 工艺线提供工艺加工质量的监测方法，形成PCM（Process Control Monitor）。 这些构成清晰地接口：设计与工艺接口。这个接口同时也成为了设计与工艺的共同制约，成为设计与工艺双方必须共同遵守的规范。 3.2 工艺抽象 工艺对设计的制约、工艺抽象的意义 工艺抽象 对材料参数的抽象 对加工能力的抽象 得到以电学参数和几何参数描述的工艺数据，设计者不再看到诸如掺杂浓度、结深、氧化层厚度等工艺技术范畴的专业术语。 3.2.1 工艺对设计的制约 最小加工尺寸对设计的制约（特征尺寸与最大面积） 电学参数对设计的制约 标准工艺流程对特殊工艺要求的制约 工艺参数→设计参数（电参数、几何参数） 3.2.2 工艺抽象 掺杂浓度以薄层电阻RS描述： 3.2.2 工艺抽象 氧化层（绝缘层）厚度以单位面积电容C0描述： 3.2.2 工艺抽象 重要参数阈值电压描述了衬底掺杂浓度，氧化层厚度，氧化层中含有的电荷性质与数量，以及多晶硅（或金属）与衬底的功函数差。 阈值电压包括了栅区阈值电压和场区阈值电压。 3.2.2 工艺抽象 3.3 电学设计规则 3.3.2 器件模型参数 3.3.3 模型参数的离散及仿真方法 3.4 几何设计规则 3.4.1 几何设计规则描述 3.4.1 几何设计规则描述 3.4.1 几何设计规则描述 3.4.2 一个版图设计的例子 3.5 工艺检查与监控 3.5.1 PCM（Process Control Monitor） 3.5.1 PCM 互连线的参数（INTERCONNECT PARAMETERS）： ? 薄层电阻（Sheet Resistance ）（金属、多晶硅、有源区等） 接触电阻（Contact Resistance） ? 线宽偏差（Delta Line Width）（金属和多晶硅） 台阶覆盖（STEP COVERAGE）： ? 梳齿结构（Comb Isolation）（金属和多晶硅） ? 折弯结构（Serpentine Continuity） 晶体管特性（TRANSISTOR CHARACTERISTICS）： ? 晶体管阈值电压（Transistor Threshold Voltage） ? 本征导电因子，导电因子（Process Gain, Kp (beta/2)） ? Gamma（γ）系数 (body effect coefficient) ? 饱和电流（Saturation Current） ? 沟道穿通电压（Channel Punch-through Voltage） ? PN结击穿（Junction Breakdown） 厚栅氧（场区氧化层）晶体管（FIELD OXIDE TRANSISTORS）： ? 阈值电压（Threshold） 倒相器（INVERTERS）： ? 输出高电平（Vout, high） ? 输出低电平（Vout, low） ? 倒相器阈值（Inverter Threshold (Vinv)） ? 倒相器阈值处的增益（Gain at Inverter Threshold） 电容（CAPACITORS）： ? 平板电容（Area Capacitance） ? 边缘电容（Fringe Capacitance） 环行振荡器（RING OSCILLATOR）： ? 频率（Frequency） 3.5.2 测试图形及参数测量 3.5.2 测试图形及参数测量 本章阐述设计与工艺接口： 工艺对设计的制约 工艺抽象—几何设计规则 工艺抽象—电学规则、器件模型 工艺监控与参数提取—PCM VLSI设计基