半导体器件物理课件-pn结2.pptVIP

PN结的IV特性 PN结的IV特性 (1)隧道结未加电压时的能带图如右图所示。这时P区价带和n区导带虽然具有相 同能量的量子态，但是n区和p区的费米能级相等，在结的两边，费米能级以下没有空量子态，费米能级以上的量子态没有电子占据， 所以，隧道电流为零，对应于特性曲线上的o点  (2)加一很小的正向电压v，n区能带相对于p区将升高qv，如右图所示，这时结两边能量相等的量子态中，p区价带的费米能级以上有空量子态，而n区导带的费米能级以下有量子态被电子占据，因此n区导带中的电子可能穿过隧道到p区价带中，产生从p区向n区的正向隧道电流，这时对应于特性曲线上的点1 (3)继续增大正向电压，势垒高度不断下降，有更多的电子从n区穿过隧道到p区的空量子态，使隧道电流不断增大。当正向电流增大到Ｉp时，这时P区的费米能级与n区导带底一样高，n区的导带和p区的价带中能量相同的量子态达到最多，n区的导带中的电子可能全部穿过隧道到p区价带中的空量子态去，正向电流达到极大值Ｉp，这时对应于特性曲线的点2. (4)再增大正向电压，势垒高度进一步降低，在结两边能量相同的量子态减少，使n区导带中可能穿过隧道的电子数以及p区价带中可能接受穿过隧道的电子的空量子态均减少，如右图所示，这时隧道电流减小，出现负阻，如特性曲线上的点3  (5)正向偏压增大到vv时，n区导带底和p区价带顶一样高，如右图所示，这时 p区价带和 n区导带中没有能量相同的量子态，因此不能发生隧道穿通，隧道电流应该减少到零，对应于特性曲线上的点4。但实际上在vv时正向电流并不完全为零，而是有一个很小的谷值电流Ｉv.实验证明，谷值电流基本上具有隧道电流的性质。 (6)对硅、锗p-n结来说，正向偏压大 于vv时，一般地扩散电流就开始成 为主要的，这时隧道结和一般p-n结 的正向特性基本一样； (7)加反向偏压时，p区能带相对n区能带升高，如图所示,p区中的价带电子可以穿过隧道到n区导带中，产生反向隧道电流。随着反向偏压的增加，p区价带中可以穿过隧道的电子数大大增加，故反向电流也迅速增加，如特性曲线上的点5所示。  解第一个方程可得到 p0 (x) ，代入空穴电流密度方程中，可得到空穴扩散电流密度中的直流分量，即前面已求得的 Jdp 同理，电子扩散电流密度中的直流分量为， 于是可得 PN 结正向扩散电流中的 直流分量 为 CBAD: 反向电子扩散电流，在P区通过复合中心产生的电子A和空穴B，电子由A扩散到PN结空间电荷区，并被电场扫到N区流向右方，而空穴流向左方。 C’B’A’D’空穴 EFGH：PN结空间电荷区中复合中心产生的电子空穴对被电场分别扫进N区和P区，这个产生电流是反向扩散电流之外的一个附加的反向电流。 反向电流产生的物理过程 空间电荷区复合中心的产生电流不像反向扩散电流那样会达到饱和值，而是随着反向偏压的增大而增大。这是因为，PN结空间电荷区随着反向偏压的增大而展宽，处于空间电荷区的复合中心数目增多，所以产生电流增大。 U0 意味着正的产生率，所形成的电流是空间电荷区产生的电流而不是复合电流： 特点： 2.5 隧道电流 当P侧N侧均为重掺杂时，有些载流子可能穿透（代替越过）势垒而产生额外的电流，这种机制称为量子力学的隧道效应。 （1）费术能级位于导带或价带的内部； （2）空间电荷层的宽度很窄，因而有较高的隧道穿透率； （3）在相同的能量水平上，在一侧的能带中有电子而在另一 侧的能带中有空状态。 条件： 当结的两边均为重掺杂，从而成为简并半导体，这些条件就得到满足 隧道二极管是因为用含有大量杂质的本征半导体制作PN结时，会产生极薄的耗尽层，若加正向偏压，则在达到扩散电位之前，由于隧道效应而发生电流流动。若接近扩散电位，则为通常的二极管特性，所以如图所示，在正向电压低的范围，显示出负的电阻。 隧道二极管的电压电流特性 隧道二极管的优点是开关特性好，速度快、工作频率高；缺点是热稳定性较差。一般应用于某些开关电路或高频振荡等电路中。 各种偏压条件下隧道结的能带图 图(a) 图(b) 各种偏压条件下隧道结的能带图 图(d) 2.5隧道电流 6.隧道二极管的特点和应用上的局限性 （1）隧道二极管是利用多子的隧道效应工作的。由于单位时间内通过结的多数载流子的数目起伏较小，因此隧道二极管具有较低的噪声。 （2）隧道结是用重掺杂的简并半导体制成，由于温度对多子的影响小，使隧道二级管的工作温度范围大。 （3）由于隧道效应的本质是量子跃迁过程，电子穿越势垒极其迅速，不受电子渡越时间的限制，因此可以在极高频率下工作。这种优越的性能，使隧道二级管能够应用于振荡器，双稳态触发器和单稳多谐振荡器，