半导体物理 第八章.pptVIP

1?? 半导体的表面结构 表面的概念 晶体的周期性结构在表面中断，破坏了三维结构的对称性，会构成表面的特殊结构和性质; 理想表面就是指表面居中原子排列的对称性与体内原子完全相同，且表面上不附着任何原子成分子的半无限晶体表面。因晶格在表面处突然终止，在表面外层的每个原子将有一个未配对的电子，即有一个未饱和的键，这个键称作悬挂键，与之对应的电子能态就是表面态； 1?? 半导体的表面结构 表面的概念 表面有大量的原子键被断开而需要大量的能量，形成表面能； 为降低表面能，表面和近表面的原子层间距发生变化而出现表面弛豫现象； 表面的原子会重新组合，形成新键，从而改变表面原子的结构对称性，出现所谓的表面再构现象，降低悬挂键密度； 洁净理想表面实际上是不存在，表面上会形成一层单原子层(一般主要由氧原子组成)，在表面上覆盖了一层二氧化硅层，使硅表面的悬挂键大部分被二氧化硅层的氧原子所饱和，表面态密度就大大降低； 由于悬挂键的存在，表面可与体内交换电子和空穴。例如，n型硅悬挂键可以从体内获得电子，使表面带负电。这负的表面电荷可排斥表面层中电子使之成为耗尽层甚至变为p型反型层。 表面能级由两组，—组为施主能级(带电子为中性，失去电子带正电荷)，靠近价带，另一组为受主能级（不带电子为中性，得到电子带负电），靠近导带。 表面处还存在由于晶体缺陷或吸附原子等原因引起的表面态，这种表面态的特点是，其数值与表面经过的处理方法有关。 理想表面的电子态 讨论理想表面就是指表面居中原子排列的对称性与体内原子完全相同，且表面上不附着任何原子成分子的半无限晶体表面情形,固体物理理想的清洁表面 2 表面电场效应 一般概念 讨论在热平衡情况的表面电场效应，以及外加电场作用下半导体表面层内现象。 表面电场产生的原因：功函数不同的金属和半导体接触，或半导体表面外吸附某种带电离子等。 表面电场效应的研究方法： MIS结构 VG=0时,理想MIS结构的能带图 空间电荷层及表面势的概念 MIS结构相当于一个电容，在金属与半导体之间加电压后，在金属与半导体相对的两个面上就要被充电。两者所带电荷符号相反，但电荷分布情况不同。 金属中自由电子密度很高，电荷基本上分布在一个原子层的厚度范围之内；在半导体中自由载流子密度要低得多，电荷分布在一定厚度的表面层内，这个带电的表面层称做空间电荷区。 空间电荷层及表面势的概念 空间电荷区内从表面到内部电场逐渐减弱，到另—端减小到零。空间电荷区内的电势随距离逐渐变化。半导体表面相对体内存在电势差，能带发生弯曲。常称空间电荷层两端的电势差为表面势（VS表示）。 规定表面电势比内部高时取正值，反之取负值。表面势及空间电荷区内电荷的分布情况随金属与半导体间所加的电压VG而变化，基本上可归纳为多子堆积、耗尽和反型三种情况 ： （1） 多 子 积 累 特征： 1）能带向上弯曲并接近EF； (2) 平 带 特征：半导体表面能带平直。 （3） 耗 尽 特征： 1）表面能带 向下弯曲； （4）反 型 特征： 1）Ei与EF在表面处相交（此处为本征型）； 对于n型半导体，当金属与半导体间加正电压时，表面层内形成多数载流子电子的堆积；当金属与半导体间加不太高的负电压时，半导体表面内形成耗尽层；当负电压进一步增大时，表面层内形成有少数载流子空穴堆积的反型层。 2、理想MIS结构的电容效应 VG=Vs+Vo (2) （1a）表面电场分布Es (2)平带：Vs=0 （3）耗尽： Vs0 （3）耗尽： Vs0 开启电压VT：使半导体表面达到强反型时加在金属电极上的栅电压就是开启电压. 临界强反型时： 出现强反型，表面耗尽层宽度就达到一个极大值xdm，不再随外加电压的增加而增加。这是因为反型层中积累电子屏蔽了外电场的作用。 耗尽层宽度极大值由耗尽层近似处理方法和强反型层条件得到。半导体单位面积上的电荷量由两部分组成，一部分是电离受主的负电荷NA，另一部分是反型层中的积累电子。 深耗尽状态 以p型半导体为例，在金属与半导体间加一脉冲阶跃或高频正弦波形成的正电压时，由于空间电荷层内的少数载流子的产生速率赶不上电压的变化，反型层来不及建立，只有靠耗尽层延伸向半导体内所产生大量受主负电荷以满足电中性条件。因此，这种情况时耗尽层的宽度很大，可远大于强反型时的最大耗尽层宽度，且其宽度随电压VG幅度的增大而增大，这种状态称为深耗尽状态。 讨论深耗尽状态向平衡反型状态的过渡过程: 阶跃陡变的正电压 深耗尽状态 深耗尽状态:产生率大于复合率 产生的电子 表面-------反型层 产生的空穴