半导体物理第五次课1.pptVIP

上堂课知识点 杂质在半导体中的分布方式： 替位式杂质、间隙式杂质 杂质在半导体中所起的作用： 浅能级杂质（施主杂质、受主杂质、施主能级、受主能级）是影响半导体导电性的重要杂质、浅能级杂质电离能的计算（氢原子模型-波尔模型） 杂质补偿作用 深能级杂质（对导电性影响小，起复合中心作用） 化合物半导体中的特殊杂质： 双性杂质 中性杂质-等电子陷阱 2.4 缺陷、位错能级 点缺陷 弗兰克耳缺陷 肖特基缺陷 反结构缺陷（化合物半导体） 位错 棱位错 位错周围，晶格发生晶格畸变，影响能带结构 第三章 半导体中载流子的统计分布 3.1 状态密度 3.2 费米能级和载流子的统计分布 3.3 实际半导体中的载流子统计分布 1、本征半导体的载流子浓度 2、杂质半导体的载流子浓度 3、一般情况下的载流子统计分布 4、简并半导体 计划总学时：8学时 需要掌握重要知识点： §3.1 允许的量子态按能量的分布状态密度 导带和价带是准连续的，定义单位能量间隔内的量子态数为状态密度 2. 实际半导体材料的状态密度 则导带底（附近）状态密度为 费米函数的特性 能量E比EF高5k0T的量子态被电子占据几率0.7%；而能量比EF低5k0T的量子态被占据几率高达99.3%。 如果温度不很高，那么EF ±5k0T的范围就很小，这样费米能级 EF就成为量子态是否被电子占据的分界线： 1) 能量高于费米能级的量子态基本是空的； 2) 能量低于费米能级的量子态基本是满的； 3) 能量等于费米能级的量子态被电子占据的几率是50% EF的位置比较直观地反映了电子占据电子态的情况。即标志了电子填充能级的水平。EF越高，说明有较多的能量较高的电子态上有电子占据，从物理意义上来讲也就是系统的化学势越高 费米分布函数中，若E-EFk0T，则分母中的1可以忽略，此时 上式就是电子的玻耳兹曼分布函数。 1-f(E)是能量为E的量子态不被占据的概率，也就是量子态被空穴占据的概率： 同理，当EF-Ek0T时，上式转化为下面的空穴玻耳兹曼分布 半导体中常见的是费米能级EF位于禁带之中，并且满足 Ec-EFk0T或EF-Evk0T的条件。 因此对导带或价带中所有量子态来说，电子或空穴都可以用玻耳兹曼统计分布描述。 由于分布几率随能量呈指数衰减，因此导带绝大部分电子分布在导带底附近，价带绝大部分空穴分布在价带顶附近，即起作用的载流子都在能带极值附近。 通常将服从玻耳兹曼统计规律的半导体称为非简并半导体；而将服从费米统计分布规律的半导体称简并半导体。 3、半导体中导带电子和价带空穴浓度 导带底附近能量E→E+dE区间有dZ(E)=gc(E)dE个量子态，而电子占据能量为E的量子态几率为f(E)，对非简并半导体，该能量区间单位体积内的电子数即电子浓度n0为 对上式从导带底Ec到导带顶Ec‘ 积分，得到平衡态非简并半导体导带电子浓度 引入中间变量 ，得到 已知积分 ，而上式中的积分值应小于 。由于玻耳兹曼分布中电子占据量子态几率随电子能量升高急剧下降，导带电子绝大部分位于导带底附近，所以将上式中的积分用 替换无妨，因此 其中 称为导带有效状态密度，因此 同理可以得到价带空穴浓度 其中 称为价带有效状态密度，因此 平衡态非简并半导体导带电子浓度n0和价带空穴浓度p0与温 度和费米能级EF的位置有关。其中温度的影响不仅反映在Nc和Nv 均正比于T3/2上，影响更大的是指数项；EF位置与所含杂质的种类 与多少有关，也与温度有关。 将n0和p0相乘，代入k0和h值并引入电子惯性质量m0，得到 总结： 平衡态非简并半导体n0p0积与EF无关； 对确定半导体，mn*、mp*和Eg确定，n0p0积只与温度有关，与是否掺杂及杂质多少无关； 一定温度下，材料不同则 mn*、mp*和Eg各不相同，其n0p0积也不相同。 温度一定时，对确定的非简并半导体n0p0积恒定； 平衡态非简并半导体不论掺杂与否，上式都是适用的。 本堂课作业 半导体处于怎样的状态才能叫处于热平衡状态？其物理意义如何。 什么叫统计分布函数？费米分布和玻耳兹曼分布的函数形式有何区别？在怎样的条件下前者可以过渡到后者？为什么半导体中载流子分布可以用玻耳兹曼分布描述？