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CTD分类 戽链器件-BBD(1969) CTD 电荷耦合器件CCD 表面CCD-SCCD (1970) 体内CCD-BCCD (埋沟) 7.1 CCD工作原理 电荷耦合器件(Charge Coupled Device,简称CCD):70年代初由美国贝尔实验室研制成功的一种新型半导体器件。 CCD器件不同于其他器件的突出特点:以电荷作为信号,即信息用电荷量(称为电荷包)代表,而其它器件则都是以电压或电流作为信号的。 CCD的基本结构是一种密排MOS二极管阵列,MOS二极管将被偏置到深耗尽状态。 电荷转移的概念可以用增益为1以及输入阻抗无穷大的一系列放大器连成的链来说明,如图7-1. 在戽链器件中,电荷转移是通过采用分立或集成的元件在电路级基础上构成的。 在器件级基础上的电荷转移结构是通过CCD实现的。如图7-2 。 在图7-2(a)中,电极2偏置在10V,比它附近两个电极的偏置5V高,这样就建立了用虚线描绘的势阱,电荷贮存在这个电极下边。 一、表面势阱及电荷传输 表面势阱(深耗尽状态) CCD与MOSFET的区别: MOSFET:利用反型层(沟道)工作(稳态,热平衡态)。 CCD:利用深耗尽层状态(表面势阱)工作(瞬态,非平衡态)。 随时间增加,深耗尽状态的耗尽层渐变成反型层,以p型硅衬底为例进一步说明。 用脉冲突然给栅极加上+VG(且VG VT),耗尽层来不及反型—非平衡状态。 电子势阱的物理模型: ?表面处电势?s 很高,电子静电势能(-q?s)很低,形成电子势阱。 ?对一定器件,耗尽层越宽,则电子势能值也越大,即势阱越深。 ?随时间?,产生的电子-空穴对,在电场作用下,电子被扫向表面处形成反型层,空穴扫向内部填充(中和)固定电荷区,使W??Wm,即势阱变浅。 ?s?? 2?F(bulk),SiO2层分压?。 2.信息电荷Q信的贮存及传输 ?存入Q信后势阱的变化 对一定的+VG(栅极上正电荷量一定)存入Q信(电子)后,耗尽层变窄(因为屏蔽正电荷所需的固定负电荷量?),表面势?s ?,势阱深度?-q?s ??, 且Q信??? ?-q?s ? ? ?。 最大容量Qm信=? Qm信=ACo ?s (Co为SiO2层单位面积电容) 若Q信? Qm信,则Q信溢出势阱。 Q信的传输 若两势阱靠近,且耗尽层连通(栅边缘电场相互作用的结果),则Q信从浅阱流入相邻的深阱。 二、SCCD(表面CCD)工作原理信道在表面处 工作原理 输入输出结构 输入:输入二极管 输入栅(用于提供通道,控制Q信与注入同步) (输入栅与?1极相连接,当加+VG时,输入二极管n+p正偏,使信号Q信注入) 输出:输出二极管(收集Q信) 输出栅(提供通道) 放大器(供检测) 3. 二相SCCD ?简单电极情形 a)不实用的结构(用三相CCD结构) 有部分Q信倒流,不能实现定向传输。 b)实用的电极结构 利用电位台阶的阻挡作用,防止倒流。 ?非简单电极结构 利用绝缘层厚度不同,绝缘层与半导体内的分压不同造成电位台阶。 三、BCCD(体内CCD)工作原理信道在体内,传输效率优于SCCD 结构 增设薄n层(~1?m),使之与输入、输出二极管n+区相连。二极管加适当反偏压,使n层全耗尽。 2.体内信道的形成 在n层全耗尽的条件下,若加+VG,且+VG?SD,则有部分电力线指向栅极(感生负电荷),电场E(x),电势V(x)分布发生变化,如图所示,最高电势Vm移入体内x1处,即能带极小值出现在体内x1处—形成体内信道。 控制各栅极时钟脉冲,可使Q信在体内信道传输 3.优缺点(与SCCD比较) 优点 ?体内信道避免界面态的俘获作用,可提高传输效率。 ?体内迁移率高于表面,可加速Q信的传输。 缺点 ?有效的电容量减少(d增加了,使总电容量下降) ?工艺复杂 7.2 CCD物理性能 一、信息处理能力(最大电荷容量) 1. 理想的最大信号容量(势阱消失的值) 如何估算VP、QP? i)由 ii)由W和Vp用有关的公式确定半导体耗尽层的Em。 2 实际Qp理想Qp 原因 a)实际注入量Qp b) 阱中热产生电荷占据部分容量 C)胖零偏置的背景电荷占据部分容量 1 J暗的影响 占掉部分可用存贮
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