半导体物理第五章(教材PPT).pptVIP

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* 非平衡载流子复合前扩散进半导体的平均深度(平均距离)为: 其中的Lp表示空穴在边扩散边复合过程中,减少至原值的1/e时所扩散的距离,标志着非平衡载流子深入样品的平均距离,称为扩散长度。由扩散系数(一般有标准数据)和材料的寿 命决定。 2. 空穴扩散长度Lp * 3. 空穴扩散速度vdp 表明向内扩散的空穴流的大小如同表面的空穴以vdp的 速度向内运动 * 样品厚度为W,且在样品另一端将非平衡少数载流子全部引出。 1. 解的具体形式 (二) 样品厚度一定 边界条件 * * 例题1:某p型半导体掺杂浓度为 ,少子寿 命为 ,在均匀光的照射下产生非平衡载流 子,其产生率 ,试计算室温时光照 情况下的费米能级,并和原来无光照时的费米能级 比较。 (设本征载流子浓度 , ) * 解:(1)无光照时,空穴浓度为: 所以: 即: 说明无光照时,费米能级在禁带中线下面0.36eV处。 * (2)光照后,产生的非平衡载流子为: 所以可得: 由 可得: 由 可得: 上两式说明, 在 之下0.36eV处,而 在 之上0.18 eV处。即非平衡态时空穴的准费米能级和原来的费米能级几 乎重合,而电子的准费米能级却偏离原来的费米能级很远。 * 五、表面复合 表面复合是指在半导体表面发生的复合过程。表面处的杂质和表面特有的缺陷在禁带形成复合中心能级,因而,表面复合是间接复合。所以,间接复合理论完全可用来处理表面复合问题。 * 表面复合具有重要的实际意义。任何半导体器件总有它的表 面,较高的表面复合速度,会使更多注入的载流子在表面 复合消失,以致严重地影响器件的性能。因而在大多数器 件生产中,总是希望获得良好而稳定的表面,以尽量降低 表面复合速度,从而改善器件的性能; 另一方面,在某些物理测量中,为了消除金属探针注入效应 的影响,要设法增大表面复合,以获得较为准确的测量结 果。 * 半导体样品的形状和表面状态在很大程度上影响着少数载流子寿命。影响因素包括: 表面粗糙度。表面越粗糙,其寿命越短; 表面积与总体积的比例。同样的表面情况,样品越小,寿命 越短; 与表面的清洁度、化学气氛有关。 考虑表面复合后,寿命是体内复合和表面复合的综合结果: (一) 表面复合对寿命的影响 * (二) 表面复合率Us 表面复合率Us与表面处非平衡载流子浓度(Δp)s成正比; s称为表面复合速度,具有速度的量纲,表示表面复合的强 弱、快慢。定义为:单位时间内通过单位表面积复合掉的电 子-空穴对数。直观而形象的意义是:由于表面复合而失去 的非平衡载流子数目,如同表面处的非平衡载流子(Δp)s都 以大小为s的垂直速度流出了表面。 s的表达式(以n型半导体为例): 单位表面积的复合中心总数 空穴表面复合速度 * 表面复合速度在很大程度上受到晶体表面物理性质和外界 气氛的影响: 可将表面复合当作靠近表面的一个非常薄的区域内的体内复 合来处理,所不同的是该区域的复合中心密度很高。 * (三) 寿命τ是“结构灵敏”的参数 非平衡载流子的寿命与材料种类有关; 有些杂质作为半导体材料的深能级杂质,能形成有效的复 合,使寿命大大降低; 半导体的表面状态对寿命也有显著的影响; 晶体中的位错等缺陷,也能形成复合中心能级,因而严重地 影响少数载流子的寿命。所以,寿命值的大小在很大程度上 反映了晶格的完整性,是衡量材料质量的一个重要指标。 总之,非平衡载流子的寿命与材料的完整性、某些杂质的含量以及样品的表面状态有极密切的关系,所以,称寿命 τ是“结构灵敏”的参数。 * 六、俄歇复合 载流子从高能级向低能级跃迁,发生电子-空穴复合时,把多余的能量传给另一个载流子,使这个载流子被激发到能量更高的能级上去,当它重新跃迁回低能级时,

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