半导体物理课件 第2章2.pptVIP

2)、随着温度的升高，两者开始出现差别： a) 半导体: 最外层能带全满?非满。 b) 绝缘体：最外层能带仍是全满。 2.1 硅锗晶体中的杂质 原子并非在格点上固定不动 杂质 (外来的) 缺陷 (内在的) 点缺陷（空位，间隙原子） 线缺陷（位错） 面缺陷（层错，晶粒间界） 边界 替位式杂质 杂质原子的大小与晶体原子相似，价电子的壳层结构比较相近。 III、V族元素在硅、锗中均为替位式杂质。 间隙式杂质 杂质原子较小 施主杂质： 施主能级： n型半导体： 施主电离： 受主杂质： 受主电离： 受主能级： p型半导体： 当NDNA时： n= ND-NA ≈ ND，半导体显n型 当NDNA时： p= NA-ND ≈ NA，半导体显p型 当ND≈NA时： 高度补偿半导体 有效杂质浓度：补偿后半导体中的净杂质浓度。 1、没反映出杂质原子的影响。 2、本身是一个近似模型。 例3： 半导体硅单晶的介电常数为11.8，电子和空穴的有效质量备为：mn*=0.26m0,mp*=0.30m0，利用类氢模型估计：(1). 施主和受主的电离能；(2). 基态电子轨道半径；(3). 相邻杂质原子的电子轨道将发生明显交迭时(假设基态半径发生交叠)，试估算此时施主、受主浓度的数量级(此时可认为将形成杂质能带)? 思考：重掺杂时，禁带变窄的原因？ 金是 I 族元素 (目前无完善的理论能够说明，只能定性) 故可失去一个电子，施主能级略高于价带顶； 也可得到三个电子，形成稳定的共价键结构。 实际中，Au在Si：一受主、一施主能级。 在Ge中：三受主，一施主能级。 2.2 III-V族化合物 （略）－－自习 2.3缺陷、位错能级 2.3.1 点缺陷 点缺陷引入的能级类型 2.3.2 位错 对半导体材料和器件的性能会产生重要影响。 锗中位错具有受主及施主的作用。与杂质间可能起补偿作用。 晶格畸变，能带宽度发生变化。 补充问题： 间隙原子 显 施主性质？ 空位 通常 显 受主性质？ 2)、深能级杂质特点： 1、大多为替位式杂质； 2、硅、锗的禁带中产生的施主能级距离导带底和价带顶较远，形成深能级，称为深能级杂质； 3、能多次电离，每电离均产生一个对应能级。 4、含量少，且对载流子浓度影响较小【两个原因】。复合作用明显，一般作为复合中心存在【非平衡时】。 对Si、Ge而言，深能级杂质通常为 非III、V族元素（图2-9）。 由于库仑力的排斥作用，后获得电子的电离能大于先获得电子的电离能。即EA3EA2EA1。 金在Ge中ED、EA3、EA2、EA1四个孤立能级。 杂质多次电离，每次电离能的大小变化情况？ 1. 热缺陷（由温度决定） 晶格原子吸收热能后挤入晶格间隙，产生间隙原子和空位。 同时也存在反过程，两者最终达热平衡状态。 (a).弗伦克尔缺陷 成对出现的间隙原子和空位。 (b).肖特基缺陷 只形成空位而没有间隙原子。 2. 空位： 偏离正常的化学成分比。位置上原子消失 3. 替位原子(反结构缺陷)： 对AB化合物，AB, BA （小写代表位置，大写代表占据该位置的原子） 化合物半导体 间隙原子： 有四个可以失去的电子，所以倾向于表现出施主作用(也会起受主作用)。 空位：形成的键不饱和，易于接受电子，所以空位表现出受主作用； 空位：需要实际分析。GaAs中的镓空位和砷空位均表现为受主作用；离子性强的化合物半导体（M,X），正离子空位是受主，负离子空位是施主。 间隙原子：金属原子为间隙原子时为施主，非金属原子为间隙原子时为受主。 替位原子：离子性弱的二元化合物AB，替位原子AB是受主，BA是施主。[B元素价电子较多] 元素半导体 化合 物半 导体 使用时，直接删除本页！ 精品课件，你值得拥有！ 精品课件，你值得拥有！ 使用时，直接删除本页！ 精品课件，你值得拥有！ 精品课件，你值得拥有！ * * 上页中图的清晰表示 1、准连续的讲解 a、不连续（显然） b、部分连续 （间隔很小 以人跨越台阶进行说明） 2、问：电子与外界有能量交换时，电子能量是如何变化的 3、能量变化，能否发光 （孤立原子比较） 激活能很大，迁徙能很小，故晶体中空位多，间隙原子少。 杂质的影响：添加—迁移率 一个杂质进去，非施主即受主？ 使画出电离能较大的杂质能级位置 εr平方的原因：1、受力被屏蔽，减小为原来的1/εr, 同时基态半径也扩大为原来的εr倍。或直接从库仑电势给出结论。 离子性强的半导体中，由于库仑力的排斥作用，替位原子出现的概率很小。 元素半导体、化合物半导