2.5LED衬底材料与制造技术.ppt

通过对高纯原料熔融、化合物单晶生长、切割、磨片、抛光、真空包装等工艺，制成外延生长用衬底片。包括单晶生长炉、抛光机 、变频行星式球磨机 、晶体切割机等。 所谓“外延生长”就是在高真空条件下，采用 分子束外延（MBE）、液相外延（LPE）、金 属有机化学气相沉积（MOCVD)等方法，在晶 体衬底上，按照某一特定晶面生长的单晶薄 膜的制备过程 。 在外延片的基础上采用光刻、刻蚀、蒸发、镀膜、 电极制备、划片等半导体工艺制作具有一定功能的 结构单元。主要采用光刻机、RIE、 PECVD 、离子 注入、化学气相沉积、磨片抛光、镀膜机、划片机 等半导体工艺设备。 将芯片与相关功能器件和电路等,封入一特制的管壳内， 使芯片和电路与外界环境隔绝，避免外界有害气氛的侵 蚀，满足各种恶劣环境的应用要求，提高器件的可靠性 为器件提供一个合适的外引线，提高器件的电光性能。 2.5 LED衬底材料与制造技术：LED的外延工艺技术 MOCVD技术的优点 (l)适用范围广泛，几乎可以生长所有化合物及合金半导体； (2)非常适合于生长各种异质结构材料； (3)可以生长超薄外延层，并能获得很陡的界面过渡； (4)生长易于控制； (5)可以生长纯度很高的材料； (6)外延层大面积均匀性良好； (7)可以进行大规模生产。 2.5 LED衬底材料与制造技术：LED的外延工艺技术 LED外延片的分类 不同的材料、不同的生长条件以及不同的外延层结构都可以改变发 光的颜色和亮度。 不同的衬底材料、不同的发光层材料，对应不同的波长，也对应不 同的颜色。 其实，在几微米厚的外延层中，真正发光的也仅是其中的几百纳米 （1微米＝1000纳米）厚的量子阱结构。 2.5 LED衬底材料与制造技术：LED的外延工艺技术 根据颜色来分，磷化铝、磷化镓和磷化铟的合金（AlGaInP或 AlInGaP）,可以做成红色、橙色和黄色的LED； 另一个是氮化铟和氮化镓的合金（InGaN），可以做成绿色、蓝色 和白色的LED。 由于蓝绿光和白光是未来的发展方向，也是现在的主流产品，蓝宝 石作为衬底使用最多。 2.5 LED衬底材料与制造技术：LED的外延工艺技术 2.5 LED衬底材料与制造技术：LED芯片技术 LED芯片是一种固态的半导体器件，它可以直接把电转化为光。 LED的心脏是一个半导体的芯片，芯片的一端附在一个支架上，一端是负极，另一端连接电源的正极，使整个芯片被环氧树脂封装起来 半导体芯片由两部分组成，一部分是P型半导体，在它里面空穴占主导地位，另一端是N型半导体，在这边主要是电子。但这两种半导体连接起来的时候，它们之间就形成一个P-N结。当电流通过导线作用于这个芯片的时候，电子就会被推向P区，在P区里电子跟空穴复合，然后就会以光子的形式发出能量，这就是LED发光的原理。 光的波长也就是光的颜色，是由形成P-N结的材料决定的。LED芯片为LED的主要原材料，LED主要依靠芯片来发光。 2.5 LED衬底材料与制造技术：LED芯片技术 芯片就是在外延片上的基础上经过下面一系列流程，最终完成如右图的成品-芯片。 外延片→清洗→镀透明电极层透 (Indium Tin Oxide，ITO)→透明电极图形光刻→腐蚀→去胶→平台图形光刻→干法刻蚀→去胶→退火→SiO2沉积→窗口图形光刻→SiO2腐蚀→去胶→N极图形光刻→预清洗→镀膜→剥离→退火→ P极图形光刻→镀膜→剥离→研磨→ 切割→芯片→成品测试 2.5 LED衬底材料与制造技术：LED芯片技术 外延片 圆片 芯片 2.5 LED衬底材料与制造技术：LED芯片技术 LED芯片工艺流程图 光刻 刻蚀 蒸发 溅射 退火处理 解理 LED外延与芯片制作 MOCVD材料外延生长 镀介质膜 镀 膜 解理/划片 真空包装 2.5 LED衬底材料与制造技术：LED封装技术 LED封装技术大都是在分立器件封装技术基础上发展与演变而来 的，但却有很大的特殊性。 一般情况下，分立器件的管芯被密封在封装体内，封装的作用 主要是保护管芯和提高器件导热能力等。而LED封装则是完成输 出可见光，提高出光效率，并实现特定的光学分布。既有电参 数，又有光参数的设计及技术要求，无法简单地将分立器件的 封装用于LED。 2.5 LED衬底材料与制造技术：LED封装技术 芯片 器件 2.5 LED衬底材料与制造技术：LED封装技术 LED的核心发光部分是由p型和n型半导体构成的PN结管芯，当注 入PN结的少数载流子与多数载流子复合时，就会发出可见光，紫 外光或近红外光。 但PN结区发出的光子是非定向的，即向各个方向发射有相同的几 率。 因此，并不是管芯产生的所有光都可以释放出来，这主要取决于 半导体材料质量、管芯结构及几何形状、封装内部结构与包封材 料，应用