数字电路第七章1.pptVIP

一． RAM的基本结构 由存储矩阵、地址译码器、读写控制器、输入/输出控制、片选控制等几部分组成。 1. 存储矩阵 图中，1024个字排列成32×32的矩阵。 为了存取方便，给它们编上号。 32行编号为X0、X1、…、X31， 32列编号为Y0、Y1、…、Y31。 这样每一个存储单元都有了一个固定的编号，称为地址。 2．地址译码器——将寄存器地址对应的二进制数译成有效的行选信号和列选信号，从而选中该存储单元。 4. 片选及输入/输出控制电路 当选片信号CS＝1时，G5、G4输出为0，三态门G1、G2、G3均处于高阻状态，I/O端与存储器内部完全隔离，存储器禁止读/写操作，即不工作。 二. RAM的工作时序（以写入过程为例） 写入操作过程如下： （1）欲写入单元的地址加到存储器的地址输入端； （2）加入有效的选片信号CS； （3）将待写入的数据加到数据输入端。 （3）在R/W 线上加低电平，进入写工作状态； （4）让选片信号CS无效，I/O端呈高阻态。 三． RAM的容量扩展 1．位扩展 用8片1024（1K）×1位RAM构成的1024×8位RAM系统。 2．字扩展 四、RAM芯片简介(6116) 7.2 只读存储器(ROM) （2）一次性可编程ROM（PROM）。出厂时，存储内容全为1（或全为0），用户可根据自己的需要编程，但只能编程一次。 二．ROM的结构及工作原理 二极管固定ROM举例 （2）输出信号表达式 1.作函数运算表电路 【例7.2—1】试用ROM构成能实现函数y=x2的运算表电路，x的取值范围为0～15的正整数。 例7.2—1真值表 Y7=m12+m13+m14+m15 【解】 （1）写出各函数的标准与或表达式： 按A、B、C、D顺序排列变量，将Y1、Y2、Y4扩展成为四变量逻辑函数。 （2）选用16×4位ROM，画存储矩阵连线图： 四．EPROM举例——2764 五.ROM容量的扩展 例：用8片2764扩展成64k×8位的EPROM： 本章小节 5、输出波形图 6、逻辑功能 七进制计数器 2、由集成二进制计数器74LS161组成的电路如下（ 74LS161的功能可查手册）。试分析： 1、分析该电路的功能。 2、在CP的作用下，画出输出Q3、Q2、Q1、Q0的波形。 1、分析 该电路采用异步清零方式构成的一任意进制计数器。 其清零信号的表达式为： 所以清零时，计数器出现的状态为Q3Q2Q1Q0=1001（该状态出现极短的时间，属于无效状态）。所以该电路的有效状态为： 因为有9个有效的状态，故是一个9进制计数器 2、画波形 3、试利用集成十进制计数器74LS160和集成门电路可以产生下面输出波形的电路。（74LS60的功能可查手册） 解：分析 该电路是三输出的脉冲分配器 其实现方案是通过一个三进制计数器和门电路实现。关键是要求出Y0、Y1、Y2的函数表达式。 首先，将74LS160组成一个三进制计数器。可以利用异步清零端来实现，即利用计数器输出“0011”这个状态产生一个清零信号来实现。由于是低电平清零，所以清零信号表达式为： 74LS160构成的三进制计数器电路为 求Y0、Y1、Y2的表达式，根据真值表： 0 0 1 0 0 1 0 2 0 1 0 0 0 0 1 1 1 0 0 0 0 0 0 0 Y0 Y1 Y2 Q3 Q2 Q 1 Q0 CP 通过观察法，即可求出输出逻辑表达式 存储器——用以存储二进制信息的器件。 半导体存储器的分类： 根据使用功能的不同，半导体存储器可分为两大类： （1）随机存取存储器（RAM）也叫做读/写存储器。既能方便地读出所存数据，又能随时写入新的数据。RAM的缺点是数据易失，即一旦掉电，所存的数据全部丢失。 （2）只读存储器（ROM）。其内容只能读出不能写入。 存储的数据不会因断电而消失，即具有非易失性。 存储器的容量：存储器的容量=字数（m）×位数（n） 存储器的基本概念 7.1 随机存取存储器（RAM） 例如，输入地址码A9A8A7A6A5A4A3A2A1A0=0000000001，则行选线 X1＝1、列选线Y0＝1，选中第X1行第Y0列的那个存储单元。 采用双译码结构。 行地址译码器：5输入32输出，输入为A0、A1 、…、A4， 输出为X0、X1、…、X31； 列地址译码器：5输入32输出，输入为A5、A6 、…、A9，输出为Y0、Y1、…、Y31， 这样共有10条地址线。 3． RAM的存储单元 例： 六管NMOS静态存储单元 存储 单元 （1）写入过程： 例如写