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第二章晶体结构与常见晶体结构类型 第六讲

图2-43 硅氧四面体的连接方式 (a)?-方石英(存在对称中心) (b)?-鳞石英(存在对称面) (c)?-石英(无对称中心和对称面) (1)石英的结构 ?-石英属六方晶系,空间群P6422或P6222;晶胞参数a=0.496nm,c=0.545nm;晶胞分子数Z=3。?-石英在(0001)面上的投影如图2-47所示。结构中每个Si4+周围有4个O2-,空间取向是2个在Si4+上方、2个在其下方。各四面体中的离子,排列于高度不同的三层面上,最上一层用粗线表示,其次一层用细线表示,最下方一层以虚线表示。?-石英结构中存在6次螺旋轴,围绕螺旋轴的Si4+离子,在(0001)面上的投影可连接成正六边形,如图2-48(a)和2-49(a)所示。根据螺旋轴的旋转方向不同,?-石英有左形和右形之分,其空间群分别为P6422和P6222。?-石英中Si-O-Si键角为150o。 图2-47 ?-石英在(0001)面上的投影 ?-石英属三方晶系,空间群P3221或P3121;晶胞参数a=0.491nm,c=0.540nm;晶胞分子数Z=3。?-石英是?-石英的低温变体,两者之间通过位移性转变实现结构的相互转换。两结构中的Si4+在(0001)面上的投影示于图2-48。在?-石英结构中,Si-O-Si键角由?-石英中的150o变为137o,这一键角变化,使对称要素从?-石英中的6次螺旋轴转变为?-石英中的3次螺旋轴。围绕3次螺旋轴的Si4+在(0001)面上的投影已不再是正六边形,而是复三角形,见图2-49(b)。?-石英也有左、右形之分。 图2-48 石英中Si4+在(0001)面上的投影 ?-石英 ?-石英 图2-49石英中硅氧四面体在(0001)面上的投影 ?-石英 ?-石英 结构与性质的关系:SiO2结构中Si-O键的强度很高,键力分别在三维空间比较均匀,因此SiO2晶体的熔点高、硬度大、化学稳定性好,无明显解理。 (2) ?-鳞石英的结构 ?-鳞石英属六方晶系,空间群P63/mmc;晶胞参数a=0.504nm,c=0.825nm;晶胞分子数Z=4。其结构如图2-46所示。结构由交替指向相反方向的硅氧四面体组成的六节环状的硅氧层平行于(0001)面叠放而形成架状结构。平行叠放时,硅氧层中的四面体共顶连接,并且共顶的两个四面体处于镜面对称状态,Si-O-Si键角是180o,对于?-鳞石英,有的认为属于斜方晶系,晶胞参数a=0.874nm,b=0.504nm,c=0.824nm。而有的认为属于单斜晶系,参数为a=1.845nm,b=0.499nm,c=2.383nm,?=105o39,。 图2-46 ?-鳞石英的结构 (3) ?-方石英结构 ?-方石英属立方晶系,空间群Fd3m;晶胞参数a=0.713nm;晶胞分子数Z=8。结构如图2-49所示。其中Si4+位于晶胞顶点及面心,晶胞内部还有4个Si4+,其位置相当于金刚石中C原子的位置。它是由交替地指向相反方向的硅氧四面体组成六节环状的硅氧层(不同于层状结构中的硅氧层,该硅氧层内四面体取向的一致的),以3层为一个重复周期在平行于(111)面的方向上平行叠放而形成的架状结构。叠放时,两平行的硅氧层中的四面体相互错开60o,并以共顶方式对接,共顶的O2-形成对称中心,如图2-50所示。?-方石英冷却到268℃会转变为四方晶系的?-方石英,其晶胞参数a=0.497nm,c=0.692nm。 图2-37 层状结构硅氧四面体 立体图 投影图 按照硅氧层中活性氧的空间取向不同,硅氧层分为单网层和复网层。单网层结构中,硅氧层的所有活性氧均指向同一个方向。而复网层结构中,两层硅氧层中的活性氧交替地指向相反方向。活性氧的电价由其它金属离子来平衡,一般为6配位的Mg2+或Al3+离子,同时,水分子以OH-形式存在于这些离子周围,形成所谓的水铝石或水镁石层。 单网层相当于一个硅氧层加上一个水铝(镁)石层,称为1:1层。复网层相当于两个硅氧层中间加上一个水铝(镁)石层,称为2:1层,见图2-38-1、图2-38-2示。 根据水铝(镁)石层中八面体空隙的填充情况,结构又分为三八面体型和二八面体型。前者八面体空隙全部被金属离子所占据,后者只有2/3的八面体空隙被填充。 图2-38-1 层状结构硅酸盐晶体中硅氧四面体层和 铝氧八面体层的连接方式 (A)1:1型 (B)2:1型 图2-38-2 单网层及复网层的构成 滑石Mg3[Si4O10](OH)2的结构 滑石属单斜晶系,空间群C2/c,晶胞参数a=0.525nm,b=0.910nm,c=1.881nm,?=100o;结构属于复网层结构,如图2-39所示。 (a)所示

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