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DCDC驱动电路设计 摘要 本文介绍了一种常用的MOSFET驱动线路，该电路适用于全桥、半桥等互补对称驱动电路（双正激线路同名端需更改），可以有效的消除由于MOSFET米勒效应引起的误导通。线路简单成本较低。 关键词 米勒效应、导通时间、关断时间 一 适用范围 该单元电路可用于一般的有双管驱动需求的整流电路中。 二 规范满足的技术指标（特征指标） 使用指标为： ——工作频率： 80K ——驱动电压：12.5V ——驱动功率：1.23W（DC/DC管子采用IRFP460A） 三 详细的电路图 图1 驱动线路图 四 工作原理简介 在桥式等有上下管存在的线路中，当上下管中的1只管导通时，另一管的VDS会迅速上升到较高的电压，此时由于mosfet结电容的存在，未导通管的GS间结电容会被充电（即米勒效应），当VGS高到一定程度时，该管导通，即出现上下管直通现象。 本文所介绍的驱动线路采用驱动变压器进行隔离，副边两个绕组分别用来驱动上管及下管，工作原理为：互补的驱动信号GD、GC经驱动芯片U301（TPS2812或4424）后，送出驱动能力提升后的驱动信号out1、out2，该信号再驱动由三极管（MJE172及MJE182）组成的推挽三极管，推挽三极管的输出电压加在驱动变压器的原边，作为变压器的原边输入，再经过驱动变压器后送出两路驱动信号。其中一个副边绕组的电压经过限流电阻（R228R291或R287R292）加到管子的GS间，使其导通，另外一个副边绕组通过二极管与电阻（D310R323或D304R308）将反压加在管子的GS间，作为管子的关断通道。 五 设计调试要点 变压器的设计： 工作频率为f，占空比D，Ae为磁芯截面积，最大工作磁通密度Bm，驱动变压器原边匝数N为： 变压器的匝比由所需的驱动电压及Vcc1的大小决定n＝Vcc1/Vgs 推挽三极管的作用： 在驱动芯片内部高低信号由MOSFET产生、驱动电流较大时，由于MOSFET的导通电压由Rdson*Ids决定，所以会出现驱动信号管不彻底，影响管子的可调关断速度，增加损耗。 3．通过调节电阻R288及R291（R287R292）可获得所需的mosfet开通速度，关断速度从损耗角度来讲越快越好，可直接通过一个二极管D304（D310）实现 驱动线路的最大电流可通过如下计算： 4．电容C390的作用是驱动变压器偏磁补偿 5．D314R253（D308R252 ）的目的是提供去磁回路 6．电阻R371的目的是为了在驱动输出发生短路时阻止故障的进一步延伸， DC/DC驱动线路设计