ESD保护组件的主要特性参数分析及典型应用.docVIP

ESD保护组件的主要特性参数分析及典型应用(一) 发表人： 中国手机研发网 ? 发布日期：2005-4-29 由会员application提供  ??? ESD保护对高密度、小型化和具有复杂功能的电子设备而言具有重要意义。本文探讨了采用TVS二极管防止ESD时，最小击穿电压和击穿电流、最大反向漏电流和额定反向切断电压等参数对电路的影响及选择准则，并针对可携消费电子设备、视讯转换盒、以及个人计算机中的视讯线路保护、USB保护和RJ-45界面等介绍了一些典型应用。 ??? 随着行动产品、打印机、PC，DVD、视讯转换盒(STB)等产品的迅速发展，消费者正要求越来越先进的性能。半导体组件日益趋向小型化、高密度和功能复杂化，特别是像时尚消费电子和可携式产品等对主板面积要求严格的应用很容易受到静电放电的影响。一些采用了深次微米制程和甚精细线宽布线的复杂半导体功能电路，对电路瞬变过程的影响感应更强烈，而这都将突显上述问题。ESD保护原理 ??? 电路保护组件存在几种技术，当选择电路保护组件时，若设计师选择不当的保护组件将只能提供错误的安全概念。电路保护组件的选择应根据所要保护的布线情况、可用的电路板空间以及被保护电路的电特性来决定。此外，了解保护组件的特性知识也非常必要，需要考虑的重要因素之一是组件的钳位电压。所谓钳位电压是ESD组件中跨越瞬变电压消除器(TVS)上的电压，它是被保护IC的应变电压。 ??? 由于利用先进制程技术制造的IC电路内氧化层比较薄，栅极氧化层更易受到损害。这意味着较高的钳位电压将在被保护IC组件上产生较高的应变电压，并且增加了失效的概率。 ??? 很多保护组件都被设计成可吸收大量能量，由于组件结构或设计上的原因也导致其具有很高的钳位电压。同时由于变阻器的钳位电压太高，使他们不能提供有效的ESD保护。此外，由于变阻器的高电容器他们也不能为高速数据线路提供保护。TVS二极管正是为解决此问题而产生的，它已成为保护可携电子设备的关键性技术。 ??? TVS二极管是专门设计用于吸收ESD能量并且保护系统免遭ESD损害的固态组件。如果应用得当，TVS二极管将限制跨在被保护组件上的电压刚好高过额定工作电压，但是却远低于破坏阈值电压。 TVS相关参数 ??? 处理瞬时脉冲对组件损害的最好办法是将瞬时电流从感应组件引开。TVS二极管在线路板上与被保护线路并联，当瞬时电压超过电路正常工作电压后，TVS二极管便产生雪崩，提供给瞬时电流一个超低电阻通路，其结果是瞬时电流透过二极管被引开，避开被保护组件，并且在电压恢复正常值之前使被保护回路一直保持截止电压。当瞬时脉冲结束以后，TVS二极管自动回复高阻状态，整个回路进入正常电压。许多组件在承受多次冲击后，其参数及性能会产生退化，而只要工作在限定范围内，二极管将不会产生损坏或退化。 ??? 从以上过程可以看出，在选择TVS二极管时，必须注意以下几个参数的选择： ??? 1. 最小击穿电压VBR和击穿电流I R 。VBR是TVS最小的击穿电压，在25℃时，低于这个电压TVS是不会产生雪崩的。当TVS流过规定的1mA电流(I R )时，加于TVS两极的电压为其最小击穿电压V BR 。按TVS的VBR与标准值的离散程度，可把VBR分为5％和10％两种。对于5％的VBR来说，V WM =0.85VBR；对于10％的VBR来说，V WM =0.81VBR。为了满足IEC61000-4-2国际标准，TVS二极管必须达到可以处理最小8kV(接触)和15kV(空气)的ESD冲击，部份半导体厂商在自己的产品上使用了更高的抗冲击标准。对于某些有特殊要求的可携设备应用，设计者可以依需要挑选组件。 ??? 2. 最大反向漏电流ID和额定反向切断电压VWM。VWM是二极管在正常状态时可承受的电压，此电压应大于或等于被保护电路的正常工作电压，否则二极管会不断截止回路电压；但它又需要尽量与被保护回路的正常工作电压接近，这样才不会在TVS工作以前使整个回路面对过压威胁。当这个额定反向切断电压VWM加于TVS的两极间时它处于反向切断状态，流过它的电流应小于或等于其最大反向漏电流ID。 ??? 3. 最大钳位电压VC和最大峰值脉冲电流I PP 。当持续时间为20ms的脉冲峰值电流IPP流过TVS时，在其两端出现的最大峰值电压为VC。V C 、IPP反映了TVS的突波抑制能力。VC与VBR之比称为钳位因子，一般在1.2~1.4之间。VC是二极管在截止状态提供的电压，也就是在ESD冲击状态时通过TVS的电压，它不能大于被保护回路的可承受极限电压，否则组件面临被损伤的危险。 ??? 4. Pppm额定脉冲功率，这是基于最大截止电压和此时的峰值脉冲电流。对于手持设备，一般来说500W的TVS就