半导体制程用化学品应用.ppt

集成電路工業體系 Basic Structure of a Production Process 濕式清潔技術與化學品 濕式清潔技術自60年代RCA公司研發出來後使用至今已有30多年。雖然目前有許多新的清潔方式推出，然RCA清潔技術仍被廣泛使用，這乃是可能有效地去除在晶片表面的各式污染源，並不會對晶片產生缺陷或刻痕，且使用操作方便安全，因此被廣為採用。 濕式清潔在目前半導體業界仍以RCA SC-1, SC-2兩段步驟搭配SPM及DHF為主流，其主要清洗機制為： SC-1：清除微粒子 SC-2：清除金屬粒子 SPM：清除有機物 DHF：清除表層氧化物 濕式清潔技術與化學品 RCA Standard Clean 1 (SC-1，又稱APM) NH4OH/H2O2/H2O 主要應用在微粒子之清除。利用NH4OH之弱鹼性來活化Si晶圓表層，將附著於表面之微粒子去除，此外NH4OH具強化合力，也可同時去除部份金屬離子。一般是以NH4OH:H2O2:H2O = 1:1:5之體積比例混合液在70oC溫度下進行5-10分鐘之浸泡清洗。 RCA Standard Clean 2 (SC-2，又稱HPM) HCl/H2O2/H2O 主要應用在金屬離子之去除，利用HCl所形成之活性離子易與金屬離子化合之原理。一般是以HCl:H2O2:H2O = 1:1:6之體積比例混合液在70oC溫度下進行5-10分鐘之浸泡清洗。 濕式清潔技術與化學品 Piranha Clean (SPM) H2SO4/H2O2 主要應用在有機物之去除，利用H2SO4之氧化性來破壞有機物中之碳氫鍵結。一般是以 4:1之體積比例混合液在120oC溫度下進行10-15分鐘之浸泡清洗。 Dilute HF Clean(DHF) HF/H2O 主要應用在清除矽晶圓表面自然生成之二氧化矽層，由於此氧化物層厚度有限，一般均使用經稀釋處理之氫氟酸(HF 1%最為普遍)在室溫下與SiO2形成H2SiF6之方式去除之。清洗時間一般在15秒-30秒。 在完成上述濕式清潔技術程序後，可以IPA來進行蒸氣乾燥，以避免在晶圓表面上流下水痕。 微影技術用化學品 光刻膠稀釋液 光刻膠乃是經由旋轉塗佈程序而在晶片上形成薄膜，然若其黏度溫過高經常會在晶片邊緣形成珠狀殘餘物（Edge Bead）．若加入光刻膠稀釋液則可有效控制此現象之發生． 目前工業上較常使用之光刻膠稀釋液包括乙醇鹽類如Propylene Glycol Monomethyl Ether (PGME)及Propylene Glycol Monomethyl Ether Acetate (PGMEA)混合物；乳酸鹽類如Ethyl Lactate及酮類如Methyl Ethyl Ketone等． 微影技術用化學品 顯影劑 光刻膠材料在經過曝光過程，須再經顯影過程將圖案顯現出來，而顯影製程之原理乃是利用鹼性顯影液與經曝光之有機酸性光刻膠層部份進行酸鹼中和反應，使其與未經光刻膠層結構部份形成對比而達到顯像效果．在以往顯影劑為如NaOH、KOH之溶液，但由於金屬離子可能會造成對IC元件之污染，近年來已改用有機鹼溶液取代，如四甲基氫氧化銨（TMAH）及四乙基氫氧化銨 (TEAH) 等． 微影技術用化學品 去光刻膠劑 　在使用薄膜蝕刻程序將未經光刻膠覆蓋之部份去除後，即可將殘餘之光刻膠層卻除．在半導體製程中通常有兩種去除光刻膠材料之方法，一為濕式去光刻膠法，另一則為乾式去光刻膠法． 濕式去光刻膠法 利用有機溶液將光刻膠材料溶解而達到去光刻膠之目的，所使用之有機溶劑如N-Methyl-Pyrolidinone (NMP) 、Dimethyl Sulfoxide (DMSO)、Hydroxyamine 或 Aminoethoxy ethanol等。 另一則是使用無機溶液如硫酸和雙氧水，但這種溶液含政擊金屬薄膜而造成缺陷，目前已較少使用。 蝕刻技術用高純度化學品 蝕刻製程之功能乃是要將微影製程中未被光刻膠覆蓋或保護的部份以化學反應或物理作用的方式加以去除，而完成轉移光罩圖案到薄膜上面的目的．一般而言，蝕刻製程可大致分為兩類：一是濕式蝕刻（Wet Etching），它是利用化學反應如酸與材料之反應來進行薄膜之蝕刻，另一種為乾式蝕刻(Dry Etching)它乃是利用物理方法如電漿蝕刻來進行薄膜侵蝕的一種技術． 濕式蝕刻技術與化學品 濕式蝕刻技術是屬於化學品（液相）與薄膜（固相）之表面反應，此技術之優點在於其製程簡且產量速度快，而由於化學反應並無方向性乃是屬於一種等方向性蝕刻．一般而言，濕式蝕刻在半導體製程可用於下列幾個方面： 二氧化矽層之圖案蝕刻（Pattern）或去除 氮化矽（Nitride）層之圖案蝕刻或去除 金屬層(如Al)之圖案蝕刻或去除 多晶矽（