IGBT驱动保护电路的改良设计.pdfVIP

第 30 卷第 10 期 电子工程师 Vol. 30 No. 10 2004 年 10 月 　　　　　　　　　　　　　　　ELECTRONIC ENGINEER 　　　　　　　　　 　　　　　　　　Oct. 2004 IGBT 驱动保护电路的改良设计 王 　强 , 刘 　皓 , 陈 　军 ( 1. 东华理工学院 , 江西省抚州市 344000 ; 2. 华北电力大学 , 北京市 102206 ; 3. 临川供电局 , 江西省抚州市 344000) ( ) 【摘 　要】　在实际应用电力电子技术过程中 ,绝缘栅双极晶体管 IGBT 驱动保护电路的合理设 计应根据具体器件的特性 ,选择合适的参数 ,使之实现最优驱动和有效可靠的保护。文中针对具体工 程 ,对 IGBT 驱动保护电路的难点进行了分析 ,采用连续调节 IGBT 保护整定值的办法实现精确检测及 使用延时判断电路用以判断真假过流的设计思想 ,对常用的 IGBT 驱动保护电路进行改进 ,克服了在 使用中无过流自锁功能、过流保护的阈值过高、无法对真假过流进行判断的缺陷 ,获得令人满意的实 验结果 , 已安全应用于有源电力滤波器装置中。 关键词 :驱动保护电路 , IGBT , 延时真假判断 中图分类号:TN710. 2 开通损耗及尖峰电压都会产生影响。Rg 的选取处于 0 　引 　言 一对矛盾之中 ,本文所用的 1 200 V/ 400 A IGBT ,工作 ( ) 绝缘栅双极晶体管 IGBT 是由大功率晶体管 频率为 10 kHz ,经过实际电路的反复调试 ,最终确定其 ( GTR ———giant transistor) 和 MOSFET 组成的复合全控 理想值 Rg = 5. 6 Ω。 型电压驱动式电力电子器件。它集两者的优点于一 过流问题是 IGBT 和设备安全运行的重要因素 ,对 身 , 自20 世纪 80 年代开发以来倍受人们青睐 ,在许多 于 1 200 V/ 400 A IGBT来说 ,导通压降为 2 V 左右 ,而 领域获得广泛应用。但在应用 IGBT 的过程中 ,发现了 驱动模块 EXB 系列、M579 系列等 , 虽集成有过流保 ( ) 一系列问题 ,例如过流保护、过压保护和驱动等。这对 护 ,但保护临界电压动作值 7 V ～10 V 是不可调节 IGBT 器件的应用水平、装置工作的稳定可靠 ,很大程 的。工程上常采用调整串联在 IGBT 集电极与驱动块 度上有直接影响。因此 ,在应用电力电子技术过程中 , 之间的二极管的个数。其存在的问题是只能阶梯式地 一个关键问题就是驱动保护电路的合理设计和应用。 调整 ,而 0. 7 V 的动作电压反映在 IGBT 上时 , I C 将产 因而 ,实际应用中应根据具体器件的特性 ,设计合适的 生很大的变化 ,很难做到精确设定过流保护的临界动 参数 , 以实现最优驱动和有效可靠的保护。