一种适用于直流通信电源设备中带输入防反接及热插拔缓启功能的保护电路.pdfVIP

引言 通信设备系统中通常会采用背板电源母线+分板板卡结构。这样，在电路上电或带电 插拔分板时，一般会产生很大的启动电流和电压波动，这些现象将影响设备的正常工作，甚 至导致整个系统的损害。当更换维护分板板卡时，一块分板插入工作背板或者从工作背板拔 出时，分板上附加电容的充放电会给工作背板提供一个低阻抗，此时背板到分板的高涌入电 流可能会烧毁连接器和电路元件，或者暂时使背板陷落以导致系统重启。 用户通常都希望在不影响系统工作的情况下或不切断电源的情况下，取出和更换损坏电 源或分板板卡等部件，换句话说，就是系统出现故障的部件能进行带电插拔更换操作。这就 是所谓热插拔(Hot Swap)技术。 同样当48V 直流输入电源异常而发生正负反接的情况，为防止分板板卡损坏，通常要求 分板板卡带有防反接保护电路。 本文主要针对通信设备系统背板电源母线+分板板卡结构下的分板直流供电部分进行 防反接保护及热插拔缓启电路的设计。 1 1 11 防反接保护电路设计 通常情况下直流电源输入防反接保护电路是利用二极管的单向导电性来实现防反接保 护。如下图1示： 图1. 二极管型防反接保护电路 这种接法简单可靠，但当输入大电流的情况下功耗影响是非常大的。本分板板卡的输入 电流额定值达到20A,如选用Onsemi的快速恢复二极管 MUR3020PT，额定管压降为1V， 那么功耗至少也要达到： Pd＝20A×1V＝20W，这样会对分板的功耗和散热有很大影响。 因此本分板板卡是利用了MOS 管的开关特性，控制电路的导通和断开来设计防反接保 护电路，由于功率MOS 管的内阻很小，现在的MOS 管器件技术Rds（on）已经能够做到 毫欧级，解决了现有采用二极管电源防反接方案存在的压降和功耗过大的问题。具体电路如 图2示。 图2. MOS 管型防反接保护电路 MOS管通过S管脚和D管脚串接于电源和负载之间，MOS管的G管脚通过R1接MOS 管的D 管脚，并通过R2接电源端。两个电阻为MOS 管提供电压偏置，利用MOS 管的开 关特性控制电路的导通和断开，从而防止电源反接给负载带来损坏。实际使用ST 的 STB120NFS 功率MOS 管的Rds（on）只有9mΩ实际损耗很小，根本不用外加散热片。解 决了现有采用二极管电源防反接方案存在的压降和功耗过大的问题。 2 2 22 热插拔缓启保护电路设计 MOS 管有导通阻抗Rds_on 低和驱动简单的特点，在周围加上少量元器件就可以做成 冲击电流限制电路，起到热插拔缓启保护功能。 MOS 管是电压控制器件，其极间电容等效电路如图3所示。 图3. 带外接电容C2的N 型MOS 管极间电容等效电路 MOS 管的极间电容栅漏电容Cgd、栅源电容Cgs、漏源电容Cds 可以由以下公式确定： （1） （2） （3） 公式中MOS 管的反馈电容Crss,输入电容Ciss 和输出电容Coss 的数值在MOS 管的 手册上可以查到。 电容充放电快慢决定MOS 管开通和关断的快慢，为确保MOS 管状态间转换是线性的 和可预知的，外接电容C2并联在Cgd 上，如果外接电容C2比MOS 管内部栅漏电容Cgd 大很多，就会减小MOS 管内部非线性栅漏电容Cgd 在状态间转换时的作用。 外接电容C2被用来作为积分器对MOS 管的开关特性进行精确控制。控制了漏极电压 线性度就能精确控制冲击电流。 电路描述： 图4所示为基于MOS 管设计的缓启保护电路。MOS 管 Q2放在DC/DC 电源模块的负 电压输入端，在上电瞬间，DC/DC 电源模块的Vin＋电平和Vin－电平一样，然后控制电路 按一定的速率将它降到负电压，电压下降的速度由时间常数(R2/R1)*C4,决定，这个斜率决 定了最大冲击电流。 图4. 缓启保护电路 分板插入瞬间，电源电压首先对电容C4充电，当Q2的栅源电压达到开启电压时，Q2 的源漏极间开始导通，利用MOS 器件在可调电阻区的转移特性（输入栅源电压和输出源漏 极电流之间近似线性关系），随着C4电容的充电，Q1的栅源电压提高，源漏极间电流按一 定的斜率缓慢增大，