考虑硅衬底效应的基于TSV的3D-IC电源分配网络建模.pdfVIP

CN43—1258／TP 计算机工程与科学 第 36卷第 12期 2014年 12月 ISSN 1OO7～130X ComputerEngineering Science Vo1．36．No．12，Dec．2014 文章编号 ：1007—130X(2014)12-2339—07 考虑硅衬底效应的基于TSV的3D—IC电源分配网络建模 孙 浩 ，赵振宇 ，刘 欣。 (1．国防科学技术大学计算机学院，湖南 长沙 410073；2．长沙学院数学与计算科学系，湖南 长沙 410003) 摘 要 ：基于硅通孔TSV 的3D-IC在 电源分配网络 PDN 中引入 了新的结构——TSV，另外，3D堆叠 使得硅衬底效应成为不可忽略的因素，因此为 3D—IC建立 PDN模型必须要考虑 TsV 以及硅衬底效应。 为基于 TSV的 3D—IC建立 了一个考虑硅衬底效应的 3DPDN 模型 ，该模 型由P／GTSV对模型和 片上 PDN模型组成。P／GTSV对模型是在 已有模型基础上，引入 bump和接触孔 的RLGC集总模型而建立 的，该模型可以更好地体现 P／GTSV对的电学特性 ；片上 PDN模型则是基于PakJS提 出的模型 ，通过 共形映射法将硅衬底效应引入单元模块模型而建立的，该模型可以有效地反映硅衬底对 PDN 电学特性 的影响。经实验表 明，建立的3DPDN模型可以有效、快速地估算 3D-ICPDN阻抗。 关键词 ：3D-IC；电源分配 网络 ；P／G TSV；PDN 阻抗 ；硅衬底 效应 中图分类号 ：TP301 文献标志码 ：A doi：10．3969／．issn．1007—130X．2014．12．014 M odelingpowerdistribution network in TSV—based3D—IC with silicon substrateeffect SUN Hao ，ZHAO Zhen—yu ，LIU Xin (1．CollegeofComputer，NationalUniversityofDefenseTechnology，Changsha410073； 2．DepartmentofMathematicsandComputerScience，ChangshaUniversity，Changsha410003，China) Abstract：ThroughSiliconVia (TSV)basedThree—DimensionalIntegratedCircuit(3D-IC)intro- ducesTSV intoPowerDistributionNetwork (PDN)．andsiliconsubstrateeffectcannotbeignoredbe— causeof3D stack．Therefore，modelingPDN inTSV—based3D～IC musttakeTSV and silicon substrate effectintoconsideration．A modelfor3D PDN in TSV—based3D-ICwith silicon substrateeffectispro— posed．TheproposedmodeliscomposedofaP／G (Power／Ground)TSVpairmodelandanon—chipPDN mode1．Inthemodelingprocedureof3D PDN，theP／GTSV pairmodelwithabumpandacontactis proposedbasedonaprovedmodel，whichreflectstheelectroniccharacteristicsofP／GTSV pairsbetter． Additionally，theon-chip PDN model，introducing the silicon substrate effectby eonformalmapping method，isproposedbasedonthemodelpropose