硅衬底上PZT薄膜的制备及其特性分析.pdfVIP

第 卷第 期 半 导 体 学 报 25 4 .25* .4 VO1 NO 年 月 2004 4 CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS Apr. * 2004 ================================================================= 硅衬底上PZT 薄膜的制备及其特性分析 1 1 2 杨 莺 陈治明 赵高扬 (1 西安理工大学电子工程系 西安* 710048D (2 西安理工大学材料物理与化学系 西安* 710048D 摘要 利用溶胶 凝胶提拉技术在低阻硅衬底上以钛酸铅: - ( D作缓冲层 成功地制备了锆钛酸铅* ( D高介电常数 PT PZT 介质膜*其锆钛组分比为 45 : 55.研究了薄膜结晶状态与制备条件的关系及相应的介电 铁电特性 结果表明 用这~ . * 种方法制备的 薄膜在 退火 晶化已相当完善 以 为择优取向 这些样品的结晶尺度根据衍射 PZT 800C 15min * (110D ; 峰的半高宽估计为 14~25nm 左右 采用; Sawyer TOwer- 电路和LCR 电桥测试法获得的结果表明 经过* 800C退火 15 的 样品 其剩余极化强度为* 47.7 / 2 *矫顽场强为 18 / *介电常数为 158*损耗因子为 0.04~ min PZT pC cm kV cm 0.055. 关键词 溶胶 凝胶 锆钛酸铅 钙钛矿相 电滞回线: - ; ; ; : 7755 ; 7780 PACC S S 中图分类号: TN104.2 文献标识码: A 文章编号: 0253-4177(2004D04-0404-06 PZT 薄膜的介电常数可比SiO2 高 2~3 个数量级* 1 引言 已引起开发 FRAM 和高密度 DRAM 的研究者们 的重视[4*5].研究者努力寻找将 PZT 薄膜引入硅集 随着微电子技术的发展*SiO2 以外的介电材 成电路工艺的方法*希望借PZT 提高集成电容器的 料 特别是高介电常数材料逐渐进入人们开发集成* 比电容.溶胶 凝胶- ( - D法是制备 薄膜的 SO1ge1 PZT 电路的视野 譬如 为了实现电压变换器的单片集成. * 常用方法 但在硅衬底上用* SO1ge1- 法制备 PZT 薄 乃至片上系统(SOCD的集成 开关电容* DC DC- 变换