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功率MOSFET栅极驱动电路设计 页码，1/7
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[组图]功率MOSFET栅极驱动电路设计 【字体：小 大】
功率MOSFET栅极驱动电路设计
作者：佚名 文章来源：网络 点击数：960 更新时间：2008-7-29
摘要：针对桥式拓扑功率MOSFET因栅极驱动信号振荡产生的桥臂直通问题，给出了计及各寄生参数的驱动电路等效模型，对栅极驱动信号振
荡的机理进行了深入研究，分析了驱动电路各参数与振荡的关系，并以此为依据对驱动电路进行参数优化设计，给出了实验波形。理论分析
和实验结果表明，改进后的驱动电路成功地解决了驱动信号的振荡问题，从而保证了功率MOSFET能够安全、可靠地运行。
关键词：振荡；驱动电路；桥式拓扑结构
引言
功率MOSFET以其开关速度快、驱动功率小和功耗低等优点在中小容量的变流器中得到了广泛的应用。当采用功率MOSFET桥式拓扑结
构时，同一桥臂上的两个功率器件在转换过程中，栅极驱动信号会产生振荡，此时功率器件的损耗较大。当振荡幅值较高时，将使功率器件
导通，从而造成功率开关管直通而损坏。目前常用的解决方法是在MOSFET关断时在栅极施加反压，以削弱振荡的影响，但反压电路却占用空
间，同时增加了成本。本文在深入分析了MOSFET栅极振荡产生机理基础上，设计了硬件驱动电路。理论分析和实验结果表明，采用本文所提
出的方法，只需增加较少的器件就能够最大程度地抑制振荡。
栅极驱动信号振荡的产生机理
由功率MOSFET的等效电路可知，3个极间均存在结电容，栅极输入端相当于一个容性网络，驱动电路存在着分布电感和驱动电阻，此
时的桥式逆变电路如图1所示。以上管开通过程为例，当下管V2已经完全关断时，栅源极同电位。在上管开通过程中，设上管开通时间为
to
，直流母线电压为E，由于开通过程时间很短，其漏源极电压迅速由直流母线电压下降到近似零，相当于在下管V2漏源极间突加一个电压
n
E，形成很高的dv/dt。该dv/dt的数值与上管V1的开通速度有关，可近似认为
/Article/ShowArticle.asp?ArticleID=827
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