纳米材料技术研制微型温差电池.pdfVIP

屯子怠镀学术研讨会沦文集 纳米材料技术研翩微型温差电池9 正为郭鹩桐 (天津走学化工学院应用化学系) 当两种不同的金属相接触时，它们之间会产生 半导体材料进行适当掺杂，控制其载流予浓度，以获 瞧位差ul。将它褒缝或嚣鼹，著嚣接头鹣嚣寝军羁， {g翼寄较裹ZT篷熬遂蒺电毒|瓣鲍方法，一壹鸯赞缝 则由于两接头的接触电位不同，电路中会产生电动 温差电材料研究所采用。!fl前[2]采用半导体搀杂 势，髂为塞贝壳嗽动势，遮一理象称为热魂效应，其 赫方法制建糍的赢监诧3缨袭壮漆菇龟材辩 有热电效应的材料称为温整电材料。半导体材料常 Bi2m。)sh；Tea体系的室温最毽zT值已接近1(对 表现出较高的热电转换效率心】。若把n一型和p_型半 应瓿．sSbl，sj氇)，其热电转换效率低于5％。长期 导体温蓑毫材瓣连藏垂1翁形式，姿蓠蠕潞度不弱 以来，正是由于传统温麓电材料低的热电转换效率， 时，p-型半导体的空穴和n．型半导体中的电子会分 使得温差电池的应用翎城受到了极大的限制。 剐离低凝端积鬃，遂在薅蠼各鑫产生温熬毫动势 V叶和Vo一。若接上负载，则负载两端就会获得 最近的错究表明e3—5]，国于S、d、*值的大小 取决予量子势阱的宽度，因而可通过降低材料的维 Vo十+V矗一的输地电压。刹用这一原理，遴过将p 数，将传统鼹块虢温差电材辩裁蔷戚一穗缡朱线竣 型和m搿半导体温差电材料进行遗当的串、并联连 接。可制成具有一定输出功率及输出电压的温差电 者二维纳米薄膜，因量子约束效应和界筒散射引起 渔f蟊1)。 熬燕鼯率降糕，大疆寰提蹇瀑差黾嚣籽懿ZT篷。缡 米材料技术为研制具有高的热电转换效率的温整电 挂霉；}舞辟了一条金毅逸撩。 近年很多研究者采用诸如PVD、CVD等技术制 备了多静类型辨二维纳米薄膜瓣差皂挂糕，它ff】鼬 ZT值均大大超过1。日本学者e6]将这种高效二维 纳米薄膜温差电材料缀装成微电池甩予精工牌手 1 of 表，滚电池稠掰人律与环境闻的极小温藏即产生尾 Operating thermodeetric Fig principle 够的电能为手袭供电，取得了很好的效果。量子力 powergenerator 潼鬟电材瓣豹电燕转换效率静商祗主簧取决手 学}}箨表鞠，一维缝米线可望获得更高的zr篷。菱 材料的戈量纲因子ZT的犬小[1]。Z=守oA，其中， 国的JHemmm!s等人[7]于1999年最早在这方面进 S黄塞爨竞系数，#鸯电譬率，z戈热导率。多年来， {亏了一些嚣撂槛醑究。健朗采藤赢压注入靛方法将 人们一赢致力于研制具宥高ZT值的温蓑电材料。 熔融态的金属Bi注入具有规则通孔的、厚度仅为数 由Z的袭达式可以看出，一定温度下Z的大小和温 擞