晶界氧吸附对SrTiO3基压敏陶瓷的作用.pdf

第34卷 第1l期 稀有金属材料与工程 、b1．34．N。11 2005年 11月 RAREME眦MATERLALSANDENGINEER【NGNoveIrIber2005 晶界氧吸附对SrTi03基压敏陶瓷的作用 李建英，李盛涛 (西安交通大学电力设备电气绝缘国家重点实验室，陕西西安710049) 关，且随着热处理温度的升高而增大。进一步的试验表明srTi03基压敏陶瓷的乐敏特性土要受试样表面高阻层的控制。 x射线光屯子能谱(xPs)的Mn2p和0ls谱图衷明．表面高阻层是氧在热处理过程中通过晶界的扩散和化学吸附产 生的。冈此．氧存晶界处的化学吸附是srTi03基陶瓷压敏特性产生的根源。 关键词：srTi03陶瓷：晶界；压敏电阻 中图法分类号：TN304．93 文献标识码：A 文章编号：l002一185x(2005)1l一1730一04 1 引 言 srTi03陶瓷可以用作电容器和高温状态的氧传感氧的扩散过程表现出与znO压敏陶瓷不同的特点。本 器…。如果掺杂以微量氧化物添加剂，之后在还原气 氛烧结和空气中氧化热处理，则会表现出非线性的伏 压敏陶瓷压敏特性的影响。 安特性，即获得srTiO，压敏陶瓷。般认为低氧分压 2实验 的还原气氛有助于晶格氧脱离晶格位置产生氧空位和 自由电子，进而实现品粒的半导化[2】。根据znO压敏 h，获得 陶瓷的研究结果，晶界势垒是压敏陶瓷获得非线性的 srTiO，粉料。固相反应式如下： 必要条件。为了获得晶界势垒，早期的研究在半导化 (I) SrC03+“02一Sr“03+C02下 的srTi03陶瓷表面涂覆碱金属氧化物，然后在空气中 热处理使得碱金属离子通过品界扩散进入srTi03陶瓷的作用是受主添加剂，烧结过程中偏析于品界区域形 内部，进而在晶界处形成受丰表面态和势垒【34J。后期成界面态。按照传统的电子陶瓷制各工艺进行配料、 的研究中，人们发现仅通过空气热处理，无需涂覆碱 球磨、成型。得到直径为12mm，厚度为2mm的坯 金属氧化物，srTiO，半导体陶瓷也可以获得非线性特 性酗】。 于1350℃温度烧结3h，随炉冷却到室温。在空气中 氧在压敏陶瓷的晶界势垒中起着非常重要的作 不同的温度和时间下进行热处理，试样的最终尺寸为 5 10mm×15 用。对znO压敏陶瓷而言，onm的Bi203层是产牛 晶界势垒的必要条件，但势垒的高度强烈依赖于晶界 电极，测量电性能参数。 处的氧吸附f7]。如果晶界处的氧发牛解吸附，晶界势 在直流条件下测量试样的Ⅳ特性曲线。试样的 牟会降低并导致znO压敏电阻的性能劣化，并在此基 非线性系数a定义为： 础上建立了一个化学势垒的形成机制用于解释氧在金 1 (2) 属氧化物压敏电阻中的作用。然而，很少有人注意到 19(U№A／ulITIA) 氧从表面到晶界的扩散过程。对zno压敏陶瓷来说， 口=一 mA电 Bj：o，在品界的存在非常有利于氧的扩散，因为以 流下的电压值。本文的压敏电压指“o。^。 d．Bi20，相存在的Bi20，已经被证实是最快的氧传导体在室温条件下对试样的表面进