氧化铁镍薄膜的制备与表征.pdf

辨电子·激W 第18卷第4期2007年4月Journal V01．18No．4 of Apr．2007 Optoelectronics·Laser 氧化铁镍薄膜的制备与表征* 黄金昭2，徐 征1’2一，李海玲3，亢国虎3，王文静3 (1．天津大学博士后流动站，天津300072；2．北京交通大学光电子技术研究所，发光与光信息技术教育部重点实 验室，北京100044；3．北京市太阳能研究所，jE京100083) 摘要：首先提出射频反应磁控溅射中薄膜沉积速率同02流量和溅射功率关系的理论计算模型；其次根据这一 理论计算模型，在02／m气氛中，利用射频反应磁控溅射制备氧化铁镍薄膜；最后分别采用台阶仪、x射线衍射 (Ⅺ王D)、X射线光电子能谱(XPS)、电子扫描镜(SEM)和电化学工作站对薄膜进行了表征，并分析了在制备过程 中0z含量、工作压强和溅射功率对薄膜的沉积速率、结构、组分和表面形貌的影响。实验验证了所提出的理论 计算模型以及Ni3+的存在；得到了膜厚与晶型以及工作压强与形貌的关系；电化学测试结果为：在电流密度为 8mA／emz时的过电势为284mV。 关键词：氧化铁镍；反应磁控溅射 中图分类号：0484．1文献标识码：A 文章编号：1005—0086(2007)04—0392-04 of OxideThin andCharacterizationNickel films Preparation Iron-doped HUANGJin-zhaoz，XU Guo-hu3，WANG Zhen91，2一，LIHai-lings，KANG Wen-jing Station ofLuminescence (1．PostdoctoralWorkingTianjingUniversity，Tianjing300072，China；2．KeyLaboratory and of of OpticalInformation，MinistryEducation，InstituteOptoelectronic Technology，BeijingJiaotongUniversity， Solar Research Energy 100083，China) Beijing100044，China；3．Beijing Institute，Beijing of RF Abstract：Thetheoreticalcalculationmodelrelationbetweenfilm rateandfluxof and about deposition oxygen power RF RF reactive