用于40Gbs光电子器件的新型低成本硅基过渡热沉.pdfVIP

第26卷第10期 半导体学报 V01．26No．10 oF 2005年10月 CHINESEJOURNALSEMlCONDUCTORS 0ct．。2005 用于40Gb／s光电子器件的新型低成本 硅基过渡热沉* 熊 兵 王 健 蔡鹏飞 田建柏 孙长征 罗 毅 (清华大学电子工程系集成光电子学国家重点实验室，北京 100084) 摘要：提出了一种新型低成本硅基过渡热沉，用以实现高达40Gb／s的高速光电子器件封装．采用高阻硅衬底作为 作为负载以实现器件的阻抗匹配，达到了O～40GHz范围内低于一18dB的宽带低反射特性．和传统硅基平台相比， 新型硅基热沉更具有制作工艺简单、导热性能良好等优点．为了证明其实用性，热沉被应用于高速电吸收调制器的 管芯级封装测试，获得了超过33GHz的小信号调制带宽特性，在硅基热沉上首次实现可用于40Gb／s系统的光电 子器件． 关键词：宽带硅基过渡热沉；高速电吸收调制器；高阻率硅衬底；低损耗共面波导；薄膜电阻 EEACC：6260C；4270；1305 中图分类号：TN491 文献标识码：A 文章编号：0253—4177(2005J 10一200卜05 层，如Si0。、聚酰亚胺等，但是这样的制作工艺复 1 引言 杂，增加成本，同时破坏了硅材料良好的散热特 性[4’5]．近年来随着硅材料制备工业的发展，高电阻 基于波分复用(WDM)系统的光纤通信技术正 率的纯硅衬底价格越来越低，直接在高阻硅材料上 处在向单路40Gb／s速率迈进的关键时期，发展既制作低损耗微波波导也有多次报道[6~8]．如果采用 有高性能又有低价格的光电子器件已是大势所趋． 高阻硅材料制作过渡热沉，首先可以避免制作厚绝 在光电子器件的制作成本中封装要占据绝大部分， 缘介质层，使制作工艺难度和成本大为降低，并可继 如何减小这部分成本是备受关注的研究方向．封装 承硅基材料良好的散热特性；其次由于硅基材料可 过程中首先是管芯级封装，即把器件管芯焊到过渡 以方便地制作像V型槽之类便于光纤耦合的结构， 热沉(submount)上，再通过引线连接将管芯和热沉 则可进一步降低封装成本．据我们所知，至今尚未见 上的微波电路连接起来．因此，实现宽带过渡热沉对 到基于高阻硅材料过渡热沉的研究报道，也没有采 于保障高速光电子器件的性能很关键[1’23；而减小 用硅基过渡热沉的40Gb／s光电子器件的研究报 过渡热沉的成本，又对实现更低价格的光电子器件 道． 起着重要作用． 本文针对40Gb／s高速光电子器件的封装要 与常用的过渡热沉材料金刚石[3]、BeO等相比， 求，提出并实现了基于高阻硅材料的新型低成本、宽 无论是在材料价格还是制作工艺上，硅都具有绝对 带过渡热沉．在此热沉中，采用共面波导(CPW)传 的优势．然而，传统硅材料的电阻率较低，在硅上制