用共蒸发法制备AlSb多晶薄膜.pdfVIP

第27卷第9期 半导体学报 V01．27No．9 2006年9月 CHINESEJoURNALoFSEMICoNDUCToRS Sep．，2006 用共蒸发法制备AlSb多晶薄膜* 姚菲菲 雷 智 冯良桓+ 张静全 李 卫 武莉莉 蔡 伟 蔡亚平 郑家贵 黎 兵 (四川大学材料科学系，成都610064) 摘要：采用元素共蒸发法结合退火处理制成了灿sb多晶薄膜．利用x射线衍射、透射光谱、暗电导温度关系等方 法研究了薄膜的结构、光学和电学性质．发现540℃退火后得到的砧Sb多晶薄膜呈立方相结构，间接跃迁光能隙 为1．62eV，电导激活能约为O．33eV．研究结果表明，AlSb薄膜有可能成为新型太阳电池的重要材料． 关键词：舢sb；退火；多晶薄膜 PACC：7280E；7360F 中图分类号：TN304．2+3文献标识码：A 文章编号：0253-4177(2006)09-1578-04 舢Sb多晶薄膜，并研究了退火温度对薄膜结构及性 1 引言 质的影响．结果表明，此方法制备出的舢Sb薄膜， 可望成为新的太阳电池材料，进而开发出新型的 随着对太阳电池的研究和开发，有关廉价、高 舢Sb太阳电池． 效、长寿命的太阳能转换材料的研制越来越受到重 视．鉴于现有的太阳电池和光伏材料不能满足未来 2 实验 廉价的、大规模使用的需求，寻求新型光电转换材料 的工作越来越重要．舢sb是具有闪锌矿结构的Ⅲ． 2．1 AlSb薄膜的制备 V族化合物半导体，其光学问接带隙和直接带隙分 别为1．62eV和2．218eV，与太阳辐射中的可见光 发系统制备的，系统原理图如图1所示．本底真空度 有很好的光谱匹配，非常适合用作太阳电池中的光 吸收层，制造成太阳电池的理论转换效率可高达 27％[1]．另外，地球上的Al、Sb资源丰富，而且在生 钼舟加热，舢丝则挂在钨丝舟上加热蒸发，衬底使 产和使用过程中无毒，有很好的环境相容性，因此， 用普通玻璃．为了研究退火前的膜是否属于非晶结 越Sb是一种具有潜在应用前景的无毒、环保的新型 光电转换材料．但是迄今将舢Sb薄膜用于太阳电 者用si单晶片，二者其他的制备条件完全相同．用 池的实验研究文献尚未看到． 目前对AlSb材料的研究报道并不多．区域提 纯的赳Sb往往是p型的，掺Se或Te后可以将材 料改成n型[2]．舢sb薄膜的制备方法有：共蒸发 2 法[3]、mSb单晶蒸发法[4]、热壁外延法[5]、磁控溅射 法[6]等．共蒸发和热壁外延法都需要在真空条件下 对衬底均匀加高温(约550℃)．这些方法意味着，赋 予舢和Sb原子较高的能量或采用高温过程对舢 和Sb形成共价键是必要的．上述方法中，单晶蒸发 图1共蒸发系统示意图 1：衬底；2：石英晶片探头；3，4：蒸 法需要高纯度单晶，而制备高纯～Sb晶体很困难． 发源；5：挡板 Schematicmodelofvacuum 磁控溅射法由于～，Sb原子的溅射速率相差2至3 Fig．1 c伽evaporation of 1：substrate；2：detect