用几何靶溅射方法制备AlSb多晶薄膜.pdfVIP

第30卷第ll期 太阳能学报 V01．30．No．11 2009年11月 Al：TAENERGIAESOLARISSINICA Nov．．加09 用几何靶溅射方法制备AlSb多晶薄膜 杨 凯，徐 福，武莉莉，张静全，冯良桓，李 卫，蔡亚平，黎 兵 (四川大学材料科学与工程学院，成都610064) 摘要：采用～．码几何靶用直流磁控溅射方法沉积了m懿薄膜(衬底温度为妣和劢℃)，然后在心气氛下，300— 540℃，对沉积的薄膜进行退火。用x射线衍射分析了Al胁薄膜的结构，用x射线荧光光谱法测定了m和陆的原子比，用原 子力显微镜观察了表面形貌。结果表明：八舸靶可以很好地控制薄膜中m和硒原子的比例。制备的AlSb薄膜经过退火之 后形成了面l立方结构的Al晒半导体化合物，平均晶粒大小约2陆no较高的退火温度有利于Alsb薄膜的晶粒生长。 关键词：mSb多晶薄膜；磁控溅射；太阳电池 中图分类号：删．晒5 文献标识码：A 和200℃，退火温度在300。540℃之间，退火时间为 O 引 罱 30rnin和120rnin，退火气氛为N2。 随着对太阳电池材料研究的深入，环境友好、高 1．2测试 效率的新型太阳电池已经成为一个新的研究方向。 薄膜晶体结构采用丹东仪器厂生产的Y4Qx射 A吼是具有闪锌矿结构的m．V族化合物半导体，其 线衍射仪测量，薄膜组成用日本理学公司生产的 禁带宽度1．6“可以与太阳光很好地匹配，用于太 酝p—musⅡ荧光光谱分析仪测量，膜厚用美国 阳电池的理论转换效率可达到27％…。而且灿和 mIlb硫公司生产的xP．2探针式台阶仪测量，薄膜形 sb在地球上的储量非常丰富、在生产和使用过程中 貌用日本精工公司生产的sPA400型原子力显微镜 无毒，因此AlSb是一种很有潜力的新型光电转换材测量分析。 料。目前，制备址Sb薄膜的手段主要有蒸发法[2’3】、 2。结果与讨论 分子束外延法【4]、激光法【5]、热擘外延法[61和磁控溅 射方法[71等，但还未见用几何靶磁控溅射制备A姚2．1几何靶面积的确定 薄膜的报道。用几何靶磁控溅射址sb具有容易控 用Amb油炉2台阶仪测量不同溅射功率时沉 制溅射速率和调整组分、成本低、重复性好、容易实 积的越、sb薄膜的厚度，然后换算得到溅射沉积速 现大面积生产的特点。 率，结果如图l所示。 本文采用兀舸靶磁控溅射方法将朋、sb沉积到普 7 ■ C ‘量 ’量 通玻璃衬底上，然后对薄膜进行退火。研究了衬底温度 ● 昌 昌 和退火温度对灿sb薄膜的组成、结构和形貌的影响。 ＼ { 瓣 锝 制 制 1实验 匿 器 炼 好