四川省三台县2011-2012学年高二物理上学期教学质量调研测试试卷.docVIP

三台县二O一一年秋高二教学质量调研测试物 理 试 题第I卷（选择题，共5分） 一、本大题12小题，每小题3分，共36分．每小题只有一个选项符合题意． 1．下列说法正确的是 A．半导体材料导电性能不受外界条件的影响 B．超导现象就是在温度降到某一临界值时电阻率突然降为零的现象 C．由可知，R与导体两端电压成正比，与通过导体的电流I成反比 D．由= RS/L可知，与S成正比，与L成反比 2．真空中有一点电荷＋Q1，在距其的点放一电量为＋Q2的检验电荷，检验电荷受电场力为F，则下正确的是A．P点处场强大小为F/Q1 B．P点处的场强大小等于F/Q2，也等于KQ2/2 C．检验电荷的电量变为受到的电场力将变为2F，而P处场强为F/Q2 D．若在P点不放检验电荷，则无法确定该点场强方向 3．如图是点电荷电场中的一条电场线，下列说法正确的是 A．A点电势一定大于0 B．B点的电势一定比C高 C．B点的场强一定比C强 D．该电场线一定是正点电荷形成的电场中的一条电场线 4．已知满偏电流为2mA、内阻为500Ω的电流表，它串联一个14.5Ω的电阻后，作为电压表使用，该电压表的量程为 A．10V B．29V C．30V D．100V 5．如图所示是电阻R1和R2的伏安特性曲线，且把第一象限分了Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ三个区域．现将R1和R2并联在电路中，其电功率分别用P1和