第八章 微波二极管、量子效应和热电子器件exercises.docVIP

习题 4.3 耗尽区 1．一扩散的p—n硅结在p侧为线性缓变结，其a＝10cm、，而n侧为均匀掺杂，浓度为3×10cmd．如果在零偏压时，p侧耗尽区宽度为0.8um，找出在零偏压时的总耗尽区宽度、内建电势和最大电场． 2．绘出在习题1的p—n结电势分布． 3．对于一理想p—n突变结，其N＝10cm，N＝10cm (a)计算在250K，300K，350K，400K，450K和500K时的V，并画出V和了的关系图． (b)用能带图来评论所求得的结果． (c)找出了＝300K耗尽区宽度和在零偏压时最大电场． 4．决定符合下列p—n硅结规格的n型掺杂浓度：N＝10cm，且V＝30V，T＝300K，E＝4×10V／cm． 4.4 耗尽层势垒电容 5．一突变p—n结在轻掺杂质n侧的掺杂浓度为10 cm，10cm或10cm，而重掺杂质p侧为10cm．求出一系列的1／C对V的曲线，其中V的范围从一4V到0V，以0.5V为间距．对于这些曲线的斜率及电压轴的交点给出注释． 6．线性缓变硅结，其掺杂梯度为10cm．计算内建电势及4V反向偏压的结电容(T ＝300K)． 7．300K单边p-n硅结掺杂浓度为N＝10cm．设计结使得在V＝4．0V时，C＝0．85PF． 4.5 电流—电压特性 8．假设习题3的p—n结包含了10 cm的产生—复合中心，位于硅本征费米能级0．02eV之