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- 2015-09-19 发布于湖北
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GaN核辐射探测器的性能研究.pdf
第47卷第5期 原子能科学技术 V01．47，No．5
2013年5,q Atomic Scienceand 2013
Energy Technology May
GaN核辐射探测器的性能研究
苏 丹1，张国光1，陆 敏2，姚昌胜2，赵 潇1，丰树强1
102413
(1．中国原子能科学研究院核技术应用研究所，北京 5
2．中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所，江苏苏州 215125)
摘要：GaN作为第3代半导体材料，具有禁带宽度大、电子饱和漂移速度大、抗辐射能力强等特点。制备
了OaN半导体探测器，并应用该探测器对“1Am
a粒子能谱进行测量，得到a
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