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第 卷 第 期 固体电子学研究与进展 20 2 Vo1.209No.2 年 月 2000 5 RESEARC-S PROGRESS OF SSE May. 92000 GAT 实现高电流增益与高雪崩 击穿电压兼容特性分析 庄宝煌 黄美纯 朱梓忠 李开航 (厦门大学物理学系9361005) 收稿919991025收改稿 摘要 通过作者最近建立的关于电力半导体器件: GAT 的集电结耗尽层电位分析和电场分布 的二维解析模型定量研究了 的雪崩击穿特性 并且定量解释了