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第 卷 第 期 固体电子学研究与进展 20 2 Vol.20*No.2 年 月 2000 5 RESEARC~ 8 PROGRESSO SSE may. * 2000 GAT 实现高频率与高基区 穿通电压兼容特性分析 庄宝煌 黄美纯 朱梓忠 李开航 (厦门大学物理学系*361005) 收稿收改稿 摘要 通过作者最近建立的关于: GAT 器件集电结耗尽层电位分布和电场分布的二维解析模 型 定量研究了* GAT 的基区穿通电压VPI *并且解释了该器件实现高频率与高电压兼容的实验结 果0 关键词 功率器件 联栅晶