ZnO半导体粉体制备工艺与电阻率的关系.pdfVIP

华南理工大学学报(自然科学版) JournalofSouthChina of V01．35No．5 第35卷第5期 UniversityTechnology Science 2007 2007年5月 (Natural Edition) May ZnO半导体粉体制备工艺与电阻率的关系木 吴建青 钟 赕 颜东亮 (华南理工大学材料科学与工程学院，广东广州510640) 摘要：采用固相合成法制备了氧化铝掺杂的氧化锌半导体粉体，通过x-射线衍射分析，探 讨了掺杂量、煅烧温度和保温时间对粉体导电性能的影响．实验发现：AI：O，的掺杂量高于 0．5％(摩尔比)时，会生成ZnAl：04尖晶石相，降低ZnO的电导率；在一定的温度和保温时 间下，才能保证有足