Cr-Si-Al薄膜微观结构及电阻率分析.pdf

第07卷第12期 上海交通大学学报 Vo}．37No．12 20。3年12月 OFSHANGHAl UNIVERSlTY DEc．2003 JOURNAL JIA()TONG 文章编号：1006—2467(2003)12—196905 Cr—Si—A1薄膜微观结构及电阻率分析 林泽伟，董显平， 吴建生 (上海交通大学材料科学与工程学院，教育部高温材料及高温测试开放实验室，上海200030) 摘要：采用磁控溅射方法制备c卜si A】电阻薄膜，以x射线衍射仪和透射电镜研究薄膜在不同 温度退火处理后微观结构的变化，并利用四探针法测量薄膜的电阻值．结果表明：薄膜在低于250 ℃热处理时均为非晶态；退火温度大于300。c时．薄膜中开始析出足寸约1o～ljnm的cr(si，A1)： 晶粒．其后，在退火温度为350～450℃时，析出的晶粗大小没有明显变化．当退火温度为600。C时， 析出的晶粒走小及数量急剧增大，平均尺寸接近d5nm．随着退火温度的上升，薄膜电阻率先上升、 后下降；薄膜电性能变化与微观结构的关系可以用活化隧道理论解释． 关键词：电阻薄膜；晶化；微观结构；电性能 18 中圈分类号：TP 文献标识码：A Mlcrostructureand ofCr—Si—AlThinFilms ResistivityAnalysis LJ．ⅣZF一甜ez，DOⅣG ⅣU X抽n声zng， Jmn一5^鲫g (Sch001。fMaterialsSclenceand I。ab．ofthe ofEducationfor E“g．，Open MinisI。y High Materialsand 200030，‘：hina) Tcnlperature U11lV．，Sha“ghai Testi“g，S11a“ghaiJiaoto“g Al andTEMwereused Abstr8ct：C卜SiresistivethinfIlmswere preparedbymagnetr。n8puttering．XRD to thevariatIonofmicrostructureofthe“lnlst。and Themeasuremcntsof post expl。re prior anneali“g． a resultsIn— theelect“calresistanceatroom werecarried。ut temperaturc usingfou卜probetechn‘que．The dicatethatthemlcrostructureofthefilmsannealcdlowerthan250。CIslnanamor¨housstate．W11enthe