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PDP放电单元Si掺杂MgO保护层二次电子发射系数理论研究.pdf
第30卷第5期 真空科学与技术学报
2010年9、10月 CHINESEJOURNALOFVACUUMSCIENCEANDTEC删OLoGY 535
PDP放电单元Si掺杂MgO保护层二次
电子发射系数理论研究
李巧芬屠彦。 杨兰兰王保平
(东南大学电子科学与工程学院显示中心南京210096)
ElectronEmission
Calculationof Coefficientof MgO
Secondary Si-I)opea
ProtectiveforPlasma Panel
Layer Display
LiQiaofen，TuYah。，YangLanlan，WangBaoping
Sc／ence
E／ectwrdc 210096，Ch／na)
(眈密切脚Center，Schoolof and西硒，咖，Southeast‰妙，Nanj／rig
of was intermsofthe
AbstractTheelectronicstructurethe system evaluated first
Mgt—xSi。O theoretically princi—
on functional theelectronic
calculation，based structure，bandstructure，demi·
ple density theory．Keyvariables，including
states ofstatesofthe O calculatedwiththecodeof initiativefor
t)，of density Mgl一，Sixcrystal，were Spanish
and耻lnial
of of of
electronicsimulatiomwiththousands Ontheelectronic the
atoms(SIESTA)．The Mso
impactSi—doping properties
and electronemissionfortheNeandXeionsofthe 0inthe cell，
layer secondary yield Mgl一#Siz plasmadisplaypanel
of results of
filledwithamixtureNeandXe studied．Thecalclllatedshowthat of$IIIBllamountSi(髫
gases，was doping
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