一种快速精确的GaAs MESFET寄生参数提取方法.pdf

第26卷第4期 半导体学报 V01．26No．4 CHINESE 0FSEMICoNDUCTORS 2005年4月 JOURNAL Apr．，2005 一种快速精确的GaAs 刘桂云 张义门 张玉明 (西安电子科技大学微电子所，西安710071) 摘要：提出了一种快速精确地提取GaAsMESFET寄生参数方法．这种方法以两组S参数为基础，应用解析表达 式直接确定GaAs 数为基础，对该方法进行了验证． 关键词：GaAsMESFET；寄生参数；提取参数 EEACC：2560B；1350F 中图分类号：TN402 文献标识码：A 文章编号：0253—4177(2005)04一0760—04 本征参数．可以明显看到，在GaAsMESFET参数 1 引言 提取过程中，预先确定寄生参数是重要的一步．因为 它减少了需要进行最后优化的参数个数，提高了参 电路的模拟精度除了依赖器件模型本身，还取 数提取的速度和精度．有了寄生参数值，就可以剥离 决于给定的模型参数是否精确．因此，能否精确地提 寄生电路网络，得到MESFET本征区的端特性，从 取和确定晶体管的模型参数，是一个重要的问题． 而简化提取过程． GaAs MESFET作为一种典型的微波高功率器件， 寄生参数对于高频性能的影响尤其重要． 近些年来，人们对GaAsMESFET寄生参数提 取进行了很多研究，提出了许多很好的方法[1~5]．但 这些方法都较为复杂，或要求大量的数据，或需要进 行优化．Lin[1]就曾提出，以不同频率的S参数为基 础，通过解方程来确定寄生参数的初值，再由优化程 序得到参数值．这种方法不仅复杂而且需要大量机 时．为此，本文提供了一个简单而准确的GaAs MESFET寄生参数提取方法．该方法与其它方法相 GaAs 图1 MEsFET大信号等效电路 比，仅需要两组不同频率的S参数，快而且准确，无 circuitfortheGaAs equivalent Fig．1Large-signal 须进行优化． MESFET 当GaAs 2 提取方法 情况下，没有沟道电流且源漏两端对称，此时的等效 GaAs MESFET大信号等效电路‘23如图1所 寄生电阻、电感和电容，这是由于寄生效应，电极接 示．通常参数提取分两步进行，首先提取外部参数， 触，封装等因素造成．C。为耗尽电容，由于栅极两边 也就是寄生参数．然后剥离寄生电路网络，提取内部 刘桂云 男，1979年出生，硕士研究生，从事GaAsMEsFET模型研究．Email：smartlgy@etang．com 张义门男，1941年出生，教授，博士生导师，IEEE高级会员，从事器件模型、VLsI计算机辅助设计的教学和研究工作． 张玉明男，1965年出生，博士，教授，博士生导师，IEEE会员，研究领域是宽禁带半导体siC材料和