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可见增强的32amp;#215;32元平面型InGaAsInP面阵探测器.pdf
第34卷第3期 红外与毫米波学报 V01．34．No．3
2015年6月 Millim．Waves June．2015
J．Infrared
文章编号：1001—9014(2015)03—0286—05
面阵探测器
杨 波1’2’3， 邵秀梅1”， 唐恒敬1’-， 邓洪海1”， 李 雪1”， 魏鹏1’2，
4
王云姬1’2’3，李 淘1’-， 龚海梅1，2
(1．中国科学院上海技术物理研究所传感技术国家重点实验室，上海200083；
2．中国科学院上海技术物理研究所红外成像材料与器件重点实验室，上海200083；
3．中国科学院大学，北京100039)
摘要：为了实现InGaAs探测器响应波段向可见增强，在传统的外延材料中加入一层InGaAs腐蚀阻挡层，制备了
32×32元平面型InGaAs面阵探测器，采用机械抛光和化学湿法腐蚀相结合的方法，去除了InP衬底．结果表明，探
测器的响应波段为0．5～1．7 am处的量子效率约为16％，850nm处量子效率约为54％，
txm，室温下在波长为500
1550
nm处量子效率约为9l％．暗电流大小与衬底减薄之前基本保持一致．理论分析了材料参数对器件量子效率
的影响，为进一步优化可见波段探测器的量子效率提供了依据．
关键词：铟镓砷探测器；可见增强；衬底减薄；量子效率
中图分类号：TN215文献标识码：A
32×32 InGaAs／InPdetectorwith
pixelplanar response
extendedtovisible band
wavelength
YANG
B01，2”，SHAOXiu．Meil”，TANGHeng—Jin91”，DENGHong．Hail”，LIXuel…，
WEI GONGHai．Meil，2+
Pen91一，WANGYun．Jil，2一，LITa01一，
LaboratoriesofTransducer InstituteofTechnical
(1．StateKey Technology，Shanghai Physics，
Chinese of 200083．China：
AcadamySciences，Shanghai
ofInfrared Materialsand InstituteofTechnical
2．KeyLaboratory Imaging Detectors，Shanghai Physics，
Chinese of
AcadamySciences，Shanghai200083，China：
ofChinese of 100039，China)
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