4.3 电荷耦合器件(xkj)3.pdf

电荷耦合器件CCD概述  电荷耦合器件简称CCD (Charge Coupled Device)  一种新型的MOS  （Metal Oxide Semiconductor ）型半导体器件， 是MOS 电容的一种应用，是按照一定规律排列的MOS 电容器 阵列组成的移位寄存器  在n型或p型硅衬底上生长一层二氧化硅层，然后，在二氧化硅 层上淀积金属电极，形成MOS器件  “栅极”通常不是用金属，而是用能够透过一定波长范围光的多 晶硅薄膜  再根据不同应用需要加上输入与输出端，就构成了CCD 在金属电极上施加按照一定周期变化的时钟脉冲， 在表面上形成存储少数载流子的势阱 用光或电注入的方法把代表信号的少数载流子注入 势阱中 再通过时钟脉冲的有规律变化，使电极下的势阱深 度作相应的变化，使注入的少数载流子在半导体表 面处作定向运动 通过反向偏置的p‐n结对少数载流子加以收集，并 进行放大和检测 CCD的突出特点：是以电荷作为信号，而不同于其 它大多数器件是以电流或者电压为信号 CCD的基本功能是电荷的存储和电荷的转移 CCD工作过程是信号电荷的产生、存储、传输和检 测 在MOS （Metal Oxide Semiconductor ）电容金属电极 上，加以脉冲电压，排斥掉半导体衬底内的多数载流 子，形成“势阱” 的运动，进而达到信号电荷（少数载流子） 的转移。 CCD 图像传感器：转移的信号电荷是由光线照射产生； 若所转移的电荷通过外界诸多方式得到，则其可以具备 延时、信号处理、数据存储以及逻辑运算等功能。 4.3 电荷耦合器件 4.3.1 电荷耦合器件的结构和工作原理 4.3.2 CCD 图像传感器 4.3.3 图像传感器的应用 4.3.1 电荷耦合器件的结构和工作原理  CCD是由按照一定规律排列的MOS 电容器阵列组成的。  金属为MOS结构上的电极，称为栅极(往往是能够投过 一定波长范围光的多晶硅薄膜)  半导体为底电极  两电极之间夹一层绝缘体，构成电容 MOS 电容的结构 1．金属 2 ．绝缘层SiO2 有信号电荷的势阱  当MOS 电容器栅压UG大于开启电压Uth ，周围电子迅速 地聚集到电极下的半导体表面处，即在半导体表面形成 了对于电子的势阱。 势阱：深耗尽条件下的表面势。 势阱填满：电子在半导体表面堆积后使平面势下降。 进一步解释 特定电压Uth是指半导体表面积累的电子浓度等于体内空 穴浓度时的栅压，通常称为开启电压  当栅压UG大于开启电压Uth 时，由于表面势升高，如果周 围存在电子，将迅速地聚集在电极下的半导体表面处， 由于电子在那里的势能较低，所以，形象地说，半导体 表面形成了对于电子的势阱  当加上阶跃的栅压UGUth ，若短时间没有外来的电子充 填，半导体就处于非平衡状态。此时，称为深耗尽  势阱就是深耗尽条件下的表面势  势阱填满是指电子在半导体表面堆积后使平面势下降 电荷存储 在栅极加正偏压之前，P型半导体中的空穴（多子）的分布 是均匀的。 加正偏压后，空穴被排斥而产生耗尽区，偏压增加，耗尽区 向内延伸  当UG ＞Uth 时，半导体与绝缘体界面上的电势变得非常高， 以致于将半导体内的电子(少子)吸引到表面，形成一层极薄 但电荷浓度很高的反型层  反型层电荷的存在表明了MOS结构具有存储电荷的功能 进一步解释  对金属电极施加一个足够高的正阶跃电压，这个电压将排斥 电极下面硅中的多数载流子—空穴，并在表面下方形成势阱  势阱内自由载流子开始时是耗尽的  但是，这个势阱内部或附近热激发产生的少数载流子— 电子 将趋向加有正电压的金属电极而堆积在Si‐SiO2界面附近的 硅内，使这层成为富电子的n型区(称为反型层)  把金属电极下的势阱想像成一个桶，把少数载流子想像成部 分充满这个桶内的液体。这个模型在定性描述CCD的工作过 程是十分有用  但是，实际上，