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5-1半导体基本理论简述.pdfVIP

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5-1 半导体基本理论简述 主要内容 1. 半导体基本概念 2. PN结与单向导电性 退出 1.半导体基本概念 • 根据导电特性,物质分为:导体、绝缘体、半导体 导体:存在着大量自由电子,在外电场作用下容易形成电流 绝缘体:其原子或分子的最外层电子为稳定结构,不易产生自由电子 半导体:导电能力介于导体和绝缘体之间的物质。自然状态下具有绝缘 体特性,而当满足一定外界条件时具有导电能力的材料。 • 元素周期表中最外层为四个电子的元素所组成的物质,都可 以成为半导体。如:硅(Si)、锗(Ge ),原子结构如图: 硅和锗的原子结构模型 四族元素 退出 1.半导体基本概念 • 本征半导体 (Intrinsic crystal ):纯净、结构完整、 热力学温度T=0 K时没有自由电子的半导体。 • 晶格:晶体中的原子在空间形成排列整齐的点阵, 称为晶格。 以共用电子的形式,形成共价键结构。 稳定的共价键 退出 1.半导体基本概念 • 本征激发:在常温下受热引起电子激发的现象。 自 • 载流子:本征激发产生自由电子,共价结构中留 由 电 下了一个空位,称为空穴;空穴的出现,其他共 子 价键上的电子很容易迁移过来,其他地方的电子 有可能来填补后一个空穴;在外电场作用下形成 电子流和空穴电流。自由电子和空穴都参与导电, 空 二者统称为载流子。 穴 • 自由电子和空穴所带的电荷极性不同,所以它们 的运动方向相反,本征半导体中的电流等于两个 电流之和。 空穴 空穴可在共 价键内移动 退出 空穴和电子产生过程 退出 1.半导体基本概念 • 半导体的导电性: 掺杂性、热敏性、光敏性 • 根据掺入不同的杂质,可生成N型和P型两类半导体 – N型半导体:在本征半导体中掺入五价元素(如磷、锑) 后会出现多余电子,从而形成以自由电子为主的载流子, 空穴为少数载流子,这种半导体叫做N型半导体。 – P型半导体:在本征半导体中掺入三价元素(如硼、铟 等),形成多余空穴,从而形成以空穴为主的载流子,电 子为少数载流子,这种半导体叫做P型半导体。 退出 N型半导体 电子为多数载流子 +4 +4

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