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5-1半导体基本理论简述,半导体能带理论,半导体激光器理论基础,半导体理论,简述建构主义学习理论,简述领导生命周期理论,简述区域金融理论,简述维纳的归因理论,简述权变理论,简述马克思的地租理论
5-1 半导体基本理论简述
主要内容
1. 半导体基本概念
2. PN结与单向导电性
退出
1.半导体基本概念
• 根据导电特性,物质分为:导体、绝缘体、半导体
导体:存在着大量自由电子,在外电场作用下容易形成电流
绝缘体:其原子或分子的最外层电子为稳定结构,不易产生自由电子
半导体:导电能力介于导体和绝缘体之间的物质。自然状态下具有绝缘
体特性,而当满足一定外界条件时具有导电能力的材料。
• 元素周期表中最外层为四个电子的元素所组成的物质,都可
以成为半导体。如:硅(Si)、锗(Ge ),原子结构如图:
硅和锗的原子结构模型
四族元素
退出
1.半导体基本概念
• 本征半导体 (Intrinsic crystal ):纯净、结构完整、
热力学温度T=0 K时没有自由电子的半导体。
• 晶格:晶体中的原子在空间形成排列整齐的点阵,
称为晶格。
以共用电子的形式,形成共价键结构。
稳定的共价键
退出
1.半导体基本概念
• 本征激发:在常温下受热引起电子激发的现象。
自
• 载流子:本征激发产生自由电子,共价结构中留
由
电
下了一个空位,称为空穴;空穴的出现,其他共
子
价键上的电子很容易迁移过来,其他地方的电子
有可能来填补后一个空穴;在外电场作用下形成
电子流和空穴电流。自由电子和空穴都参与导电,
空
二者统称为载流子。 穴
• 自由电子和空穴所带的电荷极性不同,所以它们
的运动方向相反,本征半导体中的电流等于两个
电流之和。 空穴
空穴可在共
价键内移动
退出
空穴和电子产生过程
退出
1.半导体基本概念
• 半导体的导电性: 掺杂性、热敏性、光敏性
• 根据掺入不同的杂质,可生成N型和P型两类半导体
– N型半导体:在本征半导体中掺入五价元素(如磷、锑)
后会出现多余电子,从而形成以自由电子为主的载流子,
空穴为少数载流子,这种半导体叫做N型半导体。
– P型半导体:在本征半导体中掺入三价元素(如硼、铟
等),形成多余空穴,从而形成以空穴为主的载流子,电
子为少数载流子,这种半导体叫做P型半导体。
退出
N型半导体
电子为多数载流子
+4 +4
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