2电力电子器件lj.pptVIP

2 第2章 电力电子器件 2.1 电力电子器件概述 第2章 电力电子器件 2.3 半控器件—晶闸管（SCR） 晶闸管的结构与工作原理 晶闸管的结构与工作原理 晶闸管的结构与工作原理 晶闸管的结构与工作原理 晶闸管的结构与工作原理 晶闸管的结构与工作原理 晶闸管的结构与工作原理 晶闸管的结构与工作原理 晶闸管的结构与工作原理 2.3 半控器件—晶闸管（SCR） 晶闸管的基本特性 晶闸管的基本特性 2.3 半控器件—晶闸管（SCR） 晶闸管的主要参数 1．电压定额 3 2.3 半控器件—晶闸管（SCR） 2.电流定额 2.电流定额 3.动态参数（自学） 4.晶闸管型号的命名方法： 2.3 半控器件—晶闸管（SCR） 晶闸管的派生器件 1.快速晶闸管 2.双向晶闸管 3.逆导晶闸管 第2章 电力电子器件 2.4 典型全控型器件 门极可关断晶闸管（GTO） 门极可关断晶闸管GTO 门极可关断晶闸管（GTO） 2. GTO的主要参数 2.4 典型全控型器件 电力晶体管（GTR） 1. GTR的结构和工作原理 电力晶体管（GTR） 电力晶体管（GTR） 2. GTR的基本特性 静态特征 2. GTR的基本特性 3. GTR的主要参数 4. 二次击穿现象与安全工作区 4. 二次击穿现象与安全工作区 2.4 典型全控型器件 电力场效应晶体管(P-MOSFET) 1.结构和工作原理 电力场效应晶体管(P-MOSFET) 1.结构和工作原理 2.基本特性和主要参数（自学） 4 2.4 典型全控型器件 绝缘栅双极晶体管（IGBT） 1. 结构和工作原理 2. 基本特性 静态特性 2.4 典型全控型器件 第2章 电力电子器件 本 章 小 结 本 章 小 结 本 章 小 结 2.4.1 门极可关断晶闸管 2.4.2 电力晶体管 2.4.3 电力场效应晶体管 2.4.4 绝缘栅双极晶体管 简称：电力MOSFET（Power MOSFET） P沟道 导电沟道 电力MOSFET主要是N沟道增强型 N沟道 增强型 耗尽型 增强型 耗尽型 uGS↑→导电沟道宽度↑→漏极电流iD↑ ——电压驱动方式 栅极 漏极 源极 简称：电力MOSFET（Power MOSFET） 符号 导通时只有多数载流子参与导电——单极型晶体管 N沟道 P沟道 uGS＞UT（开启电压） 导通条件： D S G D S G 绝缘栅场效应管 电力场效应晶体管(P-MOSFET) 主要优点：开关时间短（ns级）、工作频率高（100kHz以上）、驱动功率小、驱动电路简单、热稳定性好且不存在二次击穿现象等。 缺点：通流能力较差，且通态电阻值较大，通态压降较高。 2012年11月8日 要点复习 1.晶闸管额定电流的选取 IT(AV)=（1.5~2） 正弦半波电流波形系数 Kf=1.57 2.双向晶闸管 1）可用一对反并联的普通晶闸管等效代替； 2）用有效值来标定额定电流。 3.全控型电力电子器件 GTR——由基极电流iB驱动集电极电流iC 。 GTO——由门极电流iG驱动阳极电流iA 。 电流驱动型 电力MOSFET——由栅源极电压uGS驱动漏极电流iD 。 电压驱动型 GTR的特点——双极型，电流驱动，容量较大，通流能力很强。但开关速度较低，所需驱动功率较大，驱动电路复杂。 电力MOSFET的特点——单极型，电压驱动，开关速度快，输入阻抗高，热稳定性好，所需驱动功率小且驱动电路简单。但通流能力较差，且通态压降较高。 绝缘栅双极晶体管（Insulated-gate Bipolar Transistor——IGBT或IGT) GTR和MOSFET复合，集二者优点于一体。 1986年投入市场，是目前中小功率电力电子设备的主导器件。 电力电子器件性能比较： 电力场效应晶体管(P-MOSFET) 2.4.1 门极可关断晶闸管 2.4.2 电力晶体管 2.4.3 电力场效应晶体管 2.4.4 绝缘栅双极晶体管 三端器件：栅极G、集电极C、发射极E E C G 电气图形符号 简化等效电路 G E RN C 驱动方式：由电力MOSFET决定——栅射极电压控制 输出特性：由GTR决定——通流能力强、通态压降低 O 有源区 正向阻断区 饱 和 区 反向阻断区 I C U GE(th) U GE O I C U RM U FM U CE U GE(th) U GE 增加 分为三个区：正向阻断区、有源区和饱和区。 转移特性 输出特性 开启 电压 开关时间： 开通时间约为0.5～1.2μs 关断时间约为0.55～1.5μs 导通条件： uGE＞UGE(th) （开启电压） 工作特点： uGE