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第13章 压阻式传感器 1）压阻式传感器的工作原理— 半导体压阻效应 2）压阻系数、阻值变化的计算 a、压阻系数与任意方向阻值变化的计算 b、晶向与密勒指数 3）典型压阻式传感器原理分析 4）温度漂移及其补偿 §13.1 概述 1）压阻效应：当固体材料在某一方向承受应力时，其电阻率（或电阻值）发生变化的现象。 2）半导体压阻效应：半导体（单晶硅）晶片受到外力作用，产生肉眼无法察觉的极微小应变，其原子结构内部的电子能级状态发生变化，从而导致其电阻率产生剧烈的变化，表现在由其材料制成的电阻器阻值发生极大变化。 3）固态压阻传感器：利用压阻效应原理，采用集成电路工艺技术及一些专用特殊工艺，在单晶硅片上沿特定晶向制成应变电阻，构成惠斯顿检测电桥，并同时利用硅的弹性力学特性，在同一硅片上进行特殊的机械加工，制成集应力敏感与力电转换于一体的力学量传感器。 压阻式传感器分类 粘贴型压阻传感器：半导体应变片 应用情况 1）以气、液体压力为检测对象，诞生于六十年代末期。它较之传统的膜盒力平衡式、电感式、电容式、金属应变片式及半导体应变片式传感器技术上先进得多，目前仍是压力测量领域最新一代传感器。 2）由于各自的特点及局限性，它虽然不能全面取代上述各种力学量传感器，但是，从八十年代中期以后，在传感器市场上占有很大比例，并与压电式几乎平分了加速度传感器的国际市场。 3）目前，在以大规模集成电路技术和计算机软件技术介入为特色的智能传感器技术中，由于它能做成单片式多功能复合敏感元件来构成智能传感器，仍然倍受欢迎。 压阻效应： 压阻效应的原因: 压阻式传感器的特点 灵敏度高:硅应变电阻的灵敏系数比金属应变片高50～100倍，故相应的传感器灵敏度很高，一般满量程输出为100mv左右。因此对接口电路无特殊要求，应用成本相应较低。 分辨率高: 能分辨1mmH2O(9.8Pa)的压力变化。 体积小、重量轻、频率响应高:由于芯体采用集成工艺，又无传动部件，因此体积小，重量轻。小尺寸芯片加上硅极高的弹性系数，敏感元件的固有频率很高。在动态应用时，动态精度高，使用频带宽，合理选择设计传感器外型，使用带宽可以从静态至100千赫兹。 温度误差大: 须温度补偿、或恒温使用。 §13.2 晶向的表示方法 1)半导体单晶硅是各向异性材料; 2)硅是立方晶体，按晶轴建立座标系; 3)晶面：原子或离子可看作分布在相互平行的一簇晶面上; 4)晶向：晶面的法线方向. 晶面表示方法 密勒指数 表示方式 例： 例： （特殊情况） 判断两晶面垂直 求与两晶向都垂直的第三晶向 例：求与两晶向都垂直的第三晶向 例：求与两晶向都垂直的第三晶向 §13.3 压阻系数 一、单晶硅的压阻系数 材料阻值变化 电阻率的变化与应力分量之间的关系 分析 分析 正向压阻系数相等（正立方晶体、对称性） 横向压阻系数相等 剪切压阻系数相等 压阻系数矩阵 压阻系数矩阵和压电矩阵的比较 下面要思考解决的问题： 二、任意方向（P方向）电阻条电阻变化 将各个压阻系数向P、Q方向投影 关于方向余弦 某密勒指数为x,y,z的晶向的方向余弦为： 例1：计算（100）晶面内〈011〉晶向的纵向与横向压阻系数。 例2：计算（110）晶面内〈110〉 晶向的纵向与横向压阻系数。 例3：做出P型硅（100）晶面内纵向与横向压阻系数分布图。 三、影响压阻系数大小的因素 1、压阻系数与表面杂质浓度的关系 解释： 2、压阻系数与温度的关系 解释： 载流子浓度影响总结 Ns比较大时： a.π受温度影响小 §13.4 压阻式传感器 一、压阻式压力传感器 实物结构 硅膜片的晶向选择与扩散电阻位置的确定 1)膜片晶面(晶向)选择：常用（001）、（110）、（110）等晶面(晶向)。 2)电阻条位置的确定： 电阻的变化符合测量电桥要求; 电阻的变化量尽量大; 一般制作方法：在某一晶面内选择两个相互垂直的晶向扩散电阻。 测量电桥 圆硅膜片的应力/应变分析 方案一： 晶向解释： 在110晶向：扩散两个切向电阻 在110晶向：扩散两个切向电阻 或扩散在r=0.812a处，此时σt=0 方案二：只利用纵向压阻效应 在110晶向的园形硅膜片上，沿110晶向在0.635a之内与之外各扩散两个P型电阻条，110的横向为001 三角翼表面气体压力测量 二、压阻式加速度传感器 在110晶向扩散两个P型电阻R1R2 110晶向的压阻系数： 在110晶向扩散两个P型电阻R3R4 传感器结构 三、压阻式传感器的输出 1、恒压源供电 设：扩散电阻起始阻值都为R，当有应力作用时，两个电阻阻值增加，两个减小；温度变化引起的阻值变化为△Rt： 电桥输出为： 当△Rt=0时： 2、恒流源供电 四、敏感元件加工技术 真空蒸镀 溅射 化学气相淀积（CVD） 2、微细加