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基础知识 HOW TO MAKE A CHIP 用于纳米级芯片制造的基于单 晶圆LPCVD工艺 赵智彪，应用材料（中国）公司 压化学气相沉积（LPCVD） 半导体设备的供应商之一，也 图1 . 单晶圆 LPCVD设备 是化学气相沉积（C V D） 是目前单晶圆LPCV D成膜系 低的一个分支，同时也是半导 统的主要提供者。（图1） 示意图。 体集成电路制造工艺中必不可少的重 在同一主机架上可以 要工序之一。它主要用于多晶硅及其 根据不同需要连挂相同或不 原位掺杂、氮化硅、氧化硅以及钨化 同制程的生长室，从而针 硅等薄膜的生长。其基本原理是将一 对生产过程中不断产生的 种或数种物质的气体，在低气压条件 各种需求进行 下，以热能的方式激活，发生热分解 灵活配置，大 或化学反应，在衬底（如硅晶圆）表 大提高设备的利用率。 面沉积所需的固体薄膜。 与扩散炉的热场加热方式 扩散炉是目前主流8、12英寸集 不同，单晶圆生长室采用Heater 成电路生产线中常见的LPCVD设备。 加热（接触式加热）(图2)。衬底进入 扩散炉相比，使用单晶圆工艺可以节 其主要优点是工艺控制简单、成本 生长室后落在Heater上，经过30-50秒 约至少85%的热预算。 低。然而，随着集成电路工艺的不断 的时间即可达到热平衡，同时通入载 图4是ITRS不同版本（发布于 进步，尤其到了纳米量级以后，对工 气，伺服气流稳定并使生长压力达到 2004、2006、2008年）上给出的SDE 艺的要求日益严格。一方面，原本一 平衡，然后通入反应气体，进行薄膜 （Source-Drain-Extension，旧称 些简单的工艺制程随着要求的提升而 的生长。成膜后，利用10秒左右的时 L D D）超浅结的结深需求。由图可 开始变得越来越复杂和不易控制。扩 间将生长室抽成真空，最后将衬底传 见，在2004、2006年的要求中，明显 散炉已经难以满足精确控制的要求。 出。通常单片晶圆完成工艺生长总共 低估了热扩散在工艺集成控制中的难 另一方面，随着一些新材料、新技术 需时为2-4分钟。 度，超出了实际生产中工艺集成能达 的引入，工艺集成对热预算（Thermal Budge t）的要求日益苛刻。高温处理 热预算比较 时间以小时为单位的扩散炉，与以秒 图3给出热预算 为单位的单晶圆LPCVD设备在热预算 的估算公式。 的控制上已经无法比拟。 以650℃生长 200埃的氮化硅为 基于单晶圆的LPCVD 例，Ea= -3.69 eV， 和扩散炉相比，基于单晶圆的 设Tb1为扩散炉的热 图2. 单晶圆LPCVD生长室示意图 LPCVD设备有着显著的优点：控制精 预算，Tb2为单晶圆 确，工艺重复性、可靠性好，维护、 工艺的热预算，t1为 保养简单以及维护后的复机便捷，机 晶圆在扩散炉中高温 台的有效使用率高等。 因此在纳米级 下生长所需的时间， 的芯片制造工艺中它逐渐成为不可替 t2为单晶圆在生长室 代的LPCVD薄膜生长设备。 中的处理时间，则 应用材料公司是最早提供单晶圆 Tb2/Tb1=0.147，和 图