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第42 卷第5 期 红外与激光工程 2013 年5 月 Vol.42 No.5 Infrared and Laser Engineering May 2013 多孔硅薄膜对 p 型单晶硅太赫兹波段透射特性的影响 1 2 1 1 1 1 1 刘 ，李苏贵 ，弓巧侠 ，鲁 旭 ，马 省 ，梁二军 ，李新建 (1. 郑州大学 物理工程学院，河南 郑州 450000 ；2. 郑州升达经贸管理学院，河南 郑州 451191) 摘 要 利用化学腐蚀方法，在低阻值 p 型单晶硅片上制备了火山口形、准纳米孔柱形和多孔形三种 形貌的多孔硅薄膜。以空气为参考基准，0.2~10 THz 时域光谱显示，火山口形样品在0.2~6 THz 的透射强 度下降了约1/2 ，另外两种样品强度下降了约1/5 。火山口形、准纳米孔柱形样品呈现低通滤波特性， 多孔形样品呈现级联带通特性。准纳米孔柱形样品截止频率比火山口形样品和多孔形样品提高了 3 THz 左右。样品的频谱出现多处吸收峰，峰的位置与薄膜的几何结构尺寸有关。实验结果表明：多孔 薄膜的形状和几何结构尺寸改变了p 型单晶硅的太赫兹波段透射强度、吸收频率和截止，该材料可以 成为从太赫兹波段至可见光波段的宽频段探测材料和调制材料。 关键词 太赫兹； 太赫兹时域光谱； 水热腐蚀； 多孔硅； 透射 中图分类号 TN213 文献标志码 A 文章编号 1007-2276 (2013) 05-1236-05 Affect of porous silicon film on transmission characteristics of p-type monocrystalline silicon in terahertz band 1 2 1 1 1 1 1 Liu Xiaomin , Li Sugui , Gong Qiaoxia , Lu Xu , Ma She ng , Liang Erjun , Li Xinj ian (1. School of Physics and Engineering , Zhengzhou University , Zhengzhou 450052, China; 2. Shengda Economics , Trade and Management College , Zhengzhou 451191, China) Abstract: Porous silicon thin films were prepared by chemical etc hing method on monocrystalline silicon surface . P -type morphology of these films exhibited three tapes : crater, quasi nano pillar array and porous . Terahertz time domain spectroscopy of these samples from 0 .2 -10 THz showed that transmitted intensity of these samples was very different. Taking air as the ref